[发明专利]用于后端工艺(BEOL)互连件的借助使用自底向上交联的电介质的图像色调反转

权利要求书

1.一种制造用于半导体结构的金属化层的方法，所述方法包括：

在形成在衬底上方的层间电介质(ILD)层中形成多个沟槽；

在所述多个沟槽中形成化学放大的光致抗蚀剂；

使用正性色调处理从所述多个沟槽中的一个或多个沟槽去除所述化学放大的光致抗蚀剂，但不是从所述多个沟槽中的全部沟槽去除所述化学放大的光致抗蚀剂；

在所述ILD层的暴露出的部分上，包括在所述多个沟槽中的一个或多个沟槽的侧壁上但不是在所述化学放大的光致抗蚀剂的剩余部分上，形成预催化剂层；

在所述ILD层上方、在所述预催化剂层上、在所述多个沟槽中的一个或多个沟槽中以及在所述化学放大的光致抗蚀剂的所述剩余部分上方形成电介质材料；

使电介质材料的在所述多个沟槽中的所述一个或多个沟槽中靠近所述预催化剂层的部分交联，但不使电介质层的在所述化学放大的光致抗蚀剂的所述剩余部分上方的部分交联；

去除所述电介质层的未交联的部分；

去除所述化学放大的光致抗蚀剂的所述剩余部分；以及

在去除所述化学放大的光致抗蚀剂之后形成的ILD层上形成的沟槽中形成导电结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述多个沟槽中的所述一个或多个沟槽去除所述化学放大的光致抗蚀剂暴露出所述半导体结构的多个下面的金属线。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述预催化剂层未形成在所述半导体结构的所述暴露出的多个下面的金属线上。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个沟槽包括使用基于间距减半分或间距减为四分之一的图案化方案来形成栅格状图案。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述预催化剂层包括通过直接吸附形成催化剂层或预催化剂层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述预催化剂层包括通过共价粘附形成催化剂层或预催化剂层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述电介质材料包括通过旋涂工艺形成所述电介质材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述电介质材料的所述部分交联包括热固化所述电介质材料的所述部分。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在相同的工艺操作中去除所述电介质层的未交联部分和所述化学放大的光致抗蚀剂的所述剩余部分。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，在与用于去除所述电介质层的所述未交联部分的工艺操作不同的随后的工艺操作中去除所述化学放大的光致抗蚀剂的所述剩余部分。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在去除所述化学放大的光致抗蚀剂的所述剩余部分和所述电介质层的所述未交联部分之后，执行对所述电介质材料的所述交联部分的附加固化。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述导电结构包括形成过量的金属填充材料并随后平坦化所述金属填充材料。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述电介质材料的部分交联包括形成由O基团联接在一起的交联的三硅杂环己烷。