[发明专利]IV族衬底上的III-N MEMS结构有效
| 申请号： | 201580080280.4 | 申请日： | 2015-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107667069B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | H·W·田;S·达斯古普塔;S·K·加德纳;R·皮拉里塞泰;M·拉多萨夫列维奇;S·H·宋;R·S·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01L1/18;G01L1/22 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iv 衬底 iii mems 结构 | ||
1.一种集成电路，包括：
衬底；
III族材料-氮化物层，所述III族材料-氮化物层包括在所述衬底上的固定部分和悬置于所述衬底上方的自由部分；以及
压阻元件，所述压阻元件在所述III族材料-氮化物层上，其中，所述压阻元件包括铟渐变的氮化铟镓层，所述铟渐变的氮化铟镓层中的铟含量在其中间处最大。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述衬底是硅、硅锗或锗体衬底的其中之一。
3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述III族材料-氮化物层是氮化镓。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述III族材料-氮化物层是氮化铝镓、氮化铝铟、氮化铝、氮化铟镓和氮化铝铟镓的其中之一。
5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述III族材料-氮化物层具有0.5至2微米的厚度。
6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述III族材料-氮化物层的所述自由部分从所述固定部分延伸2到100微米。
7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述压阻元件包括所述III族材料-氮化物层上的极化层以及至少一个附加所述III族材料-氮化物层和所述极化层，以形成多量子阱(MQW)架构。
8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述压阻元件还包括极化层，以形成三维电子气(3DEG)架构。
9.根据权利要求1所述的集成电路，还包括所述压阻元件上的金属接触部。
10.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述衬底包括片上系统（SoC）中的控制器或处理器的至少其中之一。
11.一种微机电系统（MEMS）传感器，包括根据权利要求1-10中任一项所述的集成电路。
12.一种计算系统，包括根据权利要求1-10中任一项所述的集成电路。
13.一种微机电系统器件，包括：
III族材料-氮化物层，所述III族材料-氮化物层包括衬底上的固定部分和悬置于所述衬底上方的自由部分；以及
压阻元件，所述压阻元件在所述III族材料-氮化物层上，其中，所述压阻元件包括铟渐变的氮化铟镓层，所述铟渐变的氮化铟镓层中的铟含量在其中间处最大。
14.根据权利要求13所述的微机电系统器件，其中，所述衬底包括硅或锗中的一个或两者。
15.根据权利要求13所述的微机电系统器件，其中，所述III族材料-氮化物层是氮化镓、氮化铝镓、氮化铝铟、氮化铝、氮化铟镓或氮化铝铟镓的其中之一。
16.根据权利要求13-15中任一项所述的微机电系统器件，其中，所述微机电系统器件是微机电系统传感器。
17.一种形成集成电路的方法，所述方法包括：
在衬底上沉积III族材料-氮化物层；
在所述III族材料-氮化物层上形成至少一个压阻元件，其中，所述至少一个压阻元件包括铟渐变的氮化铟镓层，所述铟渐变的氮化铟镓层中的铟含量在其中间处最大；以及
蚀刻位于所述III族材料-氮化物层的至少部分之下的下方材料以释放所述III族材料-氮化物层的部分，使得所述III族材料-氮化物层的所述部分悬置于所述衬底上方，其中，所述下方材料是所述衬底和所述衬底上的浅沟槽隔离材料的至少其中之一。
18.根据权利要求17所述的方法，还包括在沉积所述层之前在所述衬底中图案化一个或多个鳍状物。
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