[发明专利]低杂散场磁性存储器有效
| 申请号： | 201580080326.2 | 申请日： | 2015-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107636850B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | B.S.多伊勒;K.奥古茨;K.P.奥布里恩;D.L.肯克;C.C.郭;M.L.多茨;S.苏里;R.S.周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐红燕;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 散场 磁性 存储器 | ||
1.一种装置，包括：
衬底；
在所述衬底上的磁性隧道结MTJ，其包括固定层、自由层以及所述固定层和自由层之间的电介质层；以及
第一合成反铁磁SAF层、第二SAF层以及在所述第一SAF层和第二SAF层之间的包括钌（Ru）的中间层，所述第一SAF层在所述中间层与所述固定层之间；
其中，所述第一SAF层包括锰（Mn）、镓（Ga）和Ru，
其中，所述第一SAF层包括第一厚度，所述第二SAF层包括等于所述第一厚度的第二厚度，并且厚度是与所述衬底所位于的主平面正交地进行测量的。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二SAF层不包括Ru。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一SAF层和所述第二SAF层中的每一个都包括Ru。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述自由层和固定层中的每一个都包括钴（Co）、铁（Fe）和硼（B），并且所述电介质层包括镁（Mg）和氧（O）。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一SAF层或所述第二SAF层中的至少一个直接接触所述固定层。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二SAF层包括钴（Co）和铂（Pt）但不包括Ru。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述固定层包括Mn、Ga和Ru。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一SAF层包括MnxRu1-xGa，其中X = 0.5。
9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一SAF层包括MnxRu1-xGa，其中X在0.3与0.7之间。
10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一SAF层包括具有第一磁矢量的第一子晶格和具有第二磁矢量的第二子晶格，所述第二磁矢量与所述第一磁矢量反平行（AP）。
11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述第一磁矢量具有与所述第二磁矢量相等的强度。
12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一SAF层与所述固定层组合以提供第一磁矢量，并且所述第二SAF层提供与所述第一磁矢量反平行（AP）的第二磁矢量。
13.根据权利要求1所述的装置，其中，所述自由层包括与所述衬底所位于的平面平行的最大宽度，并且所述最大宽度的50％以上包括共同来自所述固定层以及所述第一SAF层和所述第二SAF层的、小于150 Oe的磁边缘场。
14.一种系统，包括：
处理器；
耦合到所述处理器的存储器，其包括根据权利要求1至13中的任一项所述的装置；以及
耦合到所述处理器的通信模块，其用于与所述系统外部的计算节点通信。
15.根据权利要求14所述的系统，包括包含所述MTJ的现场可编程门阵列（FPAG）。
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