[发明专利]用于自对准互连件、插塞和过孔的织物式图案化有效
申请号: | 201580080374.1 | 申请日: | 2015-06-26 |
公开(公告)号: | CN108012562B | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | K·林;R·L·布里斯托尔;A·M·迈尔斯 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033;H01L21/3213;H01L21/768 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;韩宏 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 对准 互连 织物 图案 | ||
1.一种互连结构,包括:
层间电介质(ILD)材料;
第一互连线,所述第一互连线被形成为与所述层间电介质材料相邻;
一个或多个过孔,所述一个或多个过孔形成在所述第一互连线的顶表面上方,其中,所述过孔的侧壁与所述第一互连线的侧壁对准,并且其中,所述第一互连线的顶表面未被过孔覆盖的部分被电介质填充材料覆盖;
一个或多个电介质线,所述一个或多个电介质线形成在所述层间电介质材料的顶表面上方,其中,所述一个或多个电介质线沿着与所述第一互连线延伸的方向正交的方向而延伸;以及
第二互连线,所述第二互连线通过过孔耦合到所述第一互连线,所述第二互连线沿着与所述第一互连线延伸的方向正交的所述方向而延伸,并且所述一个或多个电介质线的厚度小于所述第二互连线的厚度。
2.根据权利要求1所述的互连结构,其中,所述多个电介质线之一在所述电介质填充材料的顶表面上方通过。
3.根据权利要求2所述的互连结构,其中,第一电介质线包括与第一过孔的第一侧壁对准的侧壁,并且其中,第二电介质线包括与所述第一过孔的第二侧壁对准的侧壁,所述第一过孔的所述第二侧壁与所述第一过孔的所述第一侧壁相对。
4.根据权利要求3所述的互连结构,还包括扩展层,所述扩展层形成在所述第一电介质线的顶表面和所述第二电介质线的顶表面上方。
5.根据权利要求4所述的互连结构,其中,所述扩展层是利用定向自组装(DSA)工艺形成的。
6.根据权利要求5所述的互连结构,其中,所述扩展层是二嵌段共聚物的一个嵌段。
7.根据权利要求3所述的互连结构,还包括第二互连线,所述第二互连线形成为部分在所述电介质线之一上方且部分在所述第一过孔上方。
8.根据权利要求3所述的互连结构,其中,在所述电介质填充材料上方形成所述电介质线中的第一电介质线,并且其中,部分在所述第一电介质线上方且部分在所述层间电介质材料上方形成第二互连线。
9.根据权利要求1所述的互连结构,还包括与所述第一互连线相邻的电介质插塞,其中,所述第一互连线的侧壁与所述电介质插塞的侧壁对准。
10.根据权利要求1所述的互连结构,其中,所述电介质填充材料是与所述层间电介质材料相同的材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造