[发明专利]用以使用量化金属形成与半导体的欧姆接触的方法

权利要求书

1.一种集成电路装置，包括：

包括至少一个低能态密度金属/半导体材料界面的集成电路器件，其中所述至少一个低能态密度金属被量化，

其中所述量化是缓变量化，其中所述低能态密度金属在界面的第一点处比在界面的第二点处更多地被量化；

其中低能态密度金属是以下中的一种：锑（Sb）、铋（Bi）、锡（Sn）及其合金；

其中低能态密度金属与半导体材料之间的界面具有台阶式轮廓；

其中低能态密度金属与半导体材料之间的接触区域是通过所述界面的水平截面取得的，并且在从所述界面的顶部到所述界面的底部的方向上行进而逐渐变得更小。

2.根据权利要求1所述的装置，其中半导体材料包括重掺杂的半导体材料。

3.根据权利要求2所述的装置，其中界面处的金属和半导体的接触区域以缓变方式减小。

4.根据权利要求1-2中的任一项所述的装置，其中所述低能态密度金属在电介质材料中被限制并且量化是通过电介质材料的缓变量化，所述低能态密度金属在界面处比在远离界面的点处更多地被量化。

5.根据权利要求1-2中的任一项所述的装置，其中金属/半导体界面包括晶体管器件的结区。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述低能态密度金属包括接触部并且半导体材料包括晶体管器件的沟道。

7.根据权利要求6所述的装置，其中界面处的接触部和沟道的接触区域以缓变方式减小。

8.一种集成电路装置，包括：

晶体管，包括：

形成在衬底上的栅极电介质层；

形成在栅极电介质层上的栅极电极；

栅极电极的一侧上的源极、栅极电极的相对侧上的漏极、和源极与漏极之间的沟道，源极、漏极和沟道中的每一个包括半导体材料；以及

与源极和漏极中的一个的接触部，其中接触部包括低能态密度金属，并且低能态密度金属与源极和漏极和沟道中的一个的半导体材料的界面是缓变的，

其中低能态密度金属是以下中的一种：锑（Sb）、铋（Bi）、锡（Sn）及其合金；

其中低能态密度金属与半导体材料之间的界面具有台阶式轮廓；

其中所述接触部是通过所述界面的水平截面取得的，并且在从所述界面的顶部到所述界面的底部的方向上行进而逐渐变得更小。

9.根据权利要求8所述的装置，其中接触区域由源极和漏极或沟道中的一个的半导体材料限制，并且界面的接触区域从第一区域向第二区域改变。

10.根据权利要求9所述的装置，其中第一区域比第二区域设置在朝向界面的金属侧的更大距离处。

11.根据权利要求8-9中的任一项所述的装置，其中半导体材料包括重掺杂的半导体材料。

12.根据权利要求11所述的装置，其中半导体材料包括源极和漏极中的所述一个。

13.根据权利要求8所述的装置，还包括晶体管上的电介质材料，其中接触部穿过电介质材料设置，并且在电介质材料中限制金属的接触区域。

14.根据权利要求8所述的装置，其中半导体材料包括沟道。

15.根据权利要求14所述的装置，还包括晶体管上的电介质材料，其中接触部穿过电介质材料设置，并且接触部的接触区域由电介质材料和沟道限制。