[发明专利]通过选择性氧化的多高度FINFET器件

权利要求书

1.一种用于形成半导体装置的方法，包括：

在衬底上形成多栅极器件的非平面导电沟道，所述沟道包括在所述衬底的表面处从基底定义的高度尺寸；

在所述沟道上形成催化剂材料的层，其中所述催化剂材料包括具有将增强所述沟道的材料的氧化的特性的材料，以减小所述沟道的所述材料的氧化温度；

氧化所述沟道的小于整个部分，其中所述沟道布置在所述衬底上的结区之间，并且其中所述沟道的相对侧中的每一侧上的所述结区所具有的底表面在所述沟道的导电部分的底表面下方；以及

在所述沟道上形成栅极叠层，所述栅极叠层包括电介质材料和栅极电极。

2.如权利要求1所述的方法，其中氧化所述沟道包括使所述沟道受到小于所述沟道的材料的氧化温度的温度。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述催化剂材料的层仅在所述沟道的基底处形成。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述催化剂材料的层在所述沟道上从所述沟道的所述基底形成到小于所述沟道的顶点的高度。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述催化剂材料的层在所述沟道的长度的一半上形成。

6.如权利要求1所述的方法，其中形成所述催化剂层包括将所述催化剂层沉积在所述沟道的整个高度尺寸上，并且在沉积之后，所述方法包括从所述沟道的高度尺寸的一部分移除所述催化剂材料的层。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述方法还包括氧化所述衬底的在所述结区之下的一部分。

8.如权利要求1-7中的任一项所述的方法，其中在形成所述栅极叠层之前，所述方法包括相邻于所述沟道将电介质材料引入到等于所述沟道的氧化部分的高度。

9.一种用于形成半导体装置的方法，包括：

在衬底上形成多栅极器件的非平面导电沟道；

在所述沟道上形成催化剂材料的层，其中所述催化剂材料包括具有将增强所述沟道的材料的氧化的特性的材料，以减小所述沟道的所述材料的氧化温度；

氧化所述沟道的一部分，所氧化的部分由从所述衬底的表面测量的所述沟道的高度尺寸定义，所述高度尺寸小于所述沟道的总高度尺寸，其中所述沟道布置在所述衬底上的结区之间，并且其中所述沟道的相对侧中的每一侧上的所述结区所具有的底表面在所述沟道的导电部分的底表面下方；以及

在所述沟道上形成栅极叠层，所述栅极叠层包括电介质材料和栅极电极。

10.如权利要求9所述的方法，其中氧化所述沟道包括使所述沟道受到小于所述沟道的材料的氧化温度的温度。

11.如权利要求9所述的方法，其中在所述沟道上形成所述催化剂材料的层包括在所述沟道的整个部分上沉积所述催化剂材料的层，并且在氧化之前，所述方法还包括移除所述催化剂材料的层的一部分。

12.如权利要求11所述的方法，其中移除所述催化剂材料的层的一部分包括从所述沟道的总高度尺寸的至少一半移除所述层。

13.如权利要求9-12中的任一项所述的方法，其中所述方法还包括氧化所述衬底的在所述结区之下的一部分。

14.如权利要求9-12中的任一项所述的方法，其中在形成所述栅极叠层之前，所述方法包括相邻于所述沟道将电介质材料引入到等于所述沟道的氧化部分的高度。