[发明专利]用于改良BCD及蚀刻深度性能的源RF功率分裂式内线圈

权利要求书

1.一种线圈组件，包含：

内线圈组件，包含：

两个或更多个内线圈，所述两个或更多个内线圈交结并形成圆顶形，其中所述两个或更多个内线圈的每一个从第一末端径向向外缠绕至第二末端，所述两个或更多个内线圈的所述第一末端并联连接，且所述两个或更多个内线圈的所述第二末端以等间隔安置；和

第一导电杆，所述第一导电杆具有垂直区段，所述垂直区段安置在所述两个或更多个内线圈公用的中心轴上，所述垂直区段耦接至并联连接的所述两个或更多个内线圈的所述第一末端；和

外线圈组件，包含：

两个或更多个外线圈，所述两个或更多个外线圈交结并形成圆顶形，其中所述两个或更多个外线圈的每一个从第一末端径向向外缠绕至第二末端，所述两个或更多个外线圈的所述第一末端并联连接，且所述两个或更多个外线圈的所述第二末端以等间隔安置；和

第二导电杆，所述第二导电杆具有垂直区段，所述垂直区段安置在所述中心轴附近，所述垂直区段耦接至并联连接的所述两个或更多个外线圈的所述第一末端。

2.根据权利要求1所述的线圈组件，其中所述两个或更多个内线圈的每一个具有相同长度。

3.根据权利要求2所述的线圈组件，其中所述两个或更多个内线圈的每一个缠绕成相同形状。

4.根据权利要求1所述的线圈组件，进一步包含两个或更多个电容器，其中所述两个或更多个电容器的每一个串联连接至所述两个或更多个内线圈的相应线圈。

5.根据权利要求4所述的线圈组件，其中所述两个或更多个电容器的每一个被连接在所述两个或更多个内线圈的每一个与RF（射频）接地之间。

6.根据权利要求1所述的线圈组件，其中所述第一导电杆和所述第二导电杆彼此基本对称。

7.一种蚀刻反应器，包含：

腔室主体，所述腔室界定处理容积，其中所述腔室主体包含腔室盖；和

根据权利要求1至6中任一项所述的线圈组件，所述线圈组件安置在所述腔室盖上方。

8.根据权利要求7所述的蚀刻反应器，其中在所述腔室盖中具有所述圆顶形，并且所述线圈组件与所述腔室盖的所述圆顶形共形。

9.一种用于使用权利要求1所述的线圈组件形成沟槽的方法，所述方法包含以下步骤：

向蚀刻反应器供应蚀刻剂，所述蚀刻反应器具有所述线圈组件；和

通过向所述线圈组件供应射频功率来在所述蚀刻反应器中产生等离子体，所述向所述线圈组件供应所述射频功率的步骤包括：

经由与所述两个或更多个内线圈耦接的所述第一导电杆向所述内线圈组件供应所述射频功率；和

经由与所述两个或更多个外线圈耦接的所述第二导电杆向所述外线圈组件供应所述射频功率。