[发明专利]芯片上直通本体过孔电容器及其形成技术

权利要求书

1.一种包含电容器的集成电路，所述集成电路包括：

半导体层；

第一直通本体过孔TBV，设置在所述半导体层中的第一直通孔内，所述第一直通孔穿过所述半导体层从其第一表面延伸到其第二表面；

设置在所述半导体层上的所述第一直通孔内的隔离层；

设置在所述第一直通本体过孔TBV和所述隔离层之间的第一电介质层；

其中所述电容器的第一电极由设置在所述半导体层与所述第一电介质层之间的传导层提供；

设置在第二直通孔内的第二直通本体过孔TBV，所述第二直通孔在所述半导体层中与所述第一直通本体过孔TBV相邻形成，其中

所述第二直通本体过孔TBV与所述第一直通本体过孔TBV电连接并通过设置在所述半导体层上的所述第二直通孔中的隔离层与所述半导体层电隔离，

由所述第一直通本体过孔TBV提供的所述电容器的第二电极，并且通过分别与所述传导层和所述第二直通本体过孔TBV接触，在所述集成电路的前侧或背侧之一上提供到所述电容器的所述第一电极的电连接以及在所述集成电路的所述前侧或背侧的另一个上提供到所述电容器的所述第二电极的电连接。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述半导体层是体块衬底。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述半导体层是多层衬底的体块层。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其中：

所述多层衬底是绝缘体上半导体SOI结构；并且

所述半导体层是所述SOI结构的半导体层。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述第一直通本体过孔TBV在形成于所述半导体层中的第一直通孔内，所述第一直通孔穿过所述半导体层从其第一表面延伸到其第二表面，以及

所述第一电介质层与所述第一直通孔的侧壁共形。

6.一种包含电容器的集成电路，所述集成电路包括：

半导体层；

在所述半导体层内的第一直通本体过孔TBV，所述第一直通本体过孔TBV提供所述电容器的第一电极，所述第一直通本体过孔TBV在所述半导体层中的第一直通孔内，所述第一直通孔穿过所述半导体层从其第一表面延伸到其第二表面；

在所述第一直通本体过孔TBV和所述半导体层之间的第一电介质层；

在所述半导体层和所述第一直通本体过孔TBV之间的传导层，所述传导层提供所述电容器的第二电极；

在所述半导体层的第一表面或第二表面之上并且与所述传导层电连接的第一金属互连；以及

在所述半导体层的第一表面或第二表面之上并且与所述第一直通本体过孔TBV电连接的第二金属互连，其中所述第二金属互连与所述传导层电绝缘；

所述第一直通本体过孔TBV在形成于所述半导体层中的第一直通孔内，所述第一直通孔穿过所述半导体层从其第一表面延伸到其第二表面；并且

所述第一电介质层与所述第一直通孔的侧壁共形；

进一步包括在所述半导体层内的与所述第一直通本体过孔TBV相邻的第二直通本体过孔TBV，其中所述第二直通本体过孔TBV与所述第一直通本体过孔TBV电连接并且与所述半导体层电隔离，以及

通过分别与所述传导层和所述第二直通本体过孔TBV接触，在所述集成电路的前侧或背侧之一上提供到所述电容器的所述第一电极的电连接以及在所述集成电路的所述前侧或背侧的另一个上提供到所述电容器的所述第二电极的电连接。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其中，所述半导体层是体块衬底。

8.根据权利要求6所述的集成电路，其中，所述半导体层是多层衬底的体块层。