[发明专利]用于有机封装衬底缩放的光刻限定的过孔有效
| 申请号： | 201580082574.0 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN107924900B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | A·A·埃尔谢尔比尼;H·布劳尼施;B·M·罗林斯;A·阿列克索夫;F·艾德;J·索托 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60;H01L21/027 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 有机 封装 衬底 缩放 光刻 限定 | ||
【权利要求书】：
1.一种形成导电过孔的方法，包括：
在第一电介质层之上沉积第一光致抗蚀剂材料，并且图案化所述第一光致抗蚀剂材料以形成导电线开口；
在所述导电线开口中形成导电线；
在所述第一光致抗蚀剂材料、所述第一电介质层和所述导电线之上沉积第二光致抗蚀剂材料；
图案化所述第二光致抗蚀剂材料以在所述导电线之上形成过孔开口，其中，所述过孔开口暴露所述导电线的一部分和所述第一光致抗蚀剂材料的一部分；
将导电材料沉积到所述过孔开口中以形成过孔，其中，所述导电材料仅沉积在暴露的导电线的部分上；
去除所述第一光致抗蚀剂层和所述第二光致抗蚀剂层；
在所述第一电介质层、所述导电线和所述过孔之上形成第二电介质层，其中，所述第二电介质层的顶表面形成在所述过孔的顶表面上方；
使所述第二电介质层凹进以暴露所述过孔的顶部部分；以及
在所述第二电介质层和所述过孔之上形成第二焊盘，使得所述过孔的晶粒结构延伸到所述第二焊盘中。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述第二电介质层凹进包括湿法蚀刻、干法蚀刻、湿法喷砂或激光烧蚀过程。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述凹进是激光烧蚀过程，并且其中，所述凹进仅在邻近所述过孔处实施。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述过孔开口具有大体上垂直的侧壁。
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