[发明专利]用于有机发光二极管制造的阴影掩模

权利要求书

1.一种阴影掩模，包括：

框架，由金属材料制成，所述金属材料具有低于或等于14微米/米/摄氏度的热膨胀系数；以及

一或多个掩模图案，耦接所述框架，所述一或多个掩模图案包括第一金属材料、第二金属材料与第三金属材料，所述第二金属材料有别于所述第一金属材料，所述第三金属材料有别于所述第二金属材料，且所述一或多个掩模图案具有多个开口，所述开口形成于所述一或多个掩模图案中，

其中所述第二金属材料位于所述第一金属材料与所述第三金属材料之间，

其中所述多个开口的各者包括渐缩侧壁，所述渐缩侧壁形成在所述第三金属材料中，

其中相较于所述第三金属材料，所述第一金属材料与所述第二金属材料被轻微地蚀刻，

其中所述第一金属材料包括镍或镍合金。

2.如权利要求1所述的阴影掩模，其中所述多个开口的各者包括主要尺寸，所述主要尺寸为5微米至50微米。

3.如权利要求1所述的阴影掩模，其中所述渐缩侧壁包括40度至55度的角度。

4.如权利要求1所述的阴影掩模，其中所述第三金属材料有别于所述第一金属材料。

5.如权利要求1所述的阴影掩模，其中所述第二金属材料包括铜(Cu)。

6.一种阴影掩模，包括：

掩模主体，所述掩模主体包括多金属材料，所述多金属材料形成多个图案区域，所述图案区域的各者具有多个开口，所述开口形成于所述图案区域的各者中，所述多金属材料包括具第一热膨胀系数的第一金属材料、具第二热膨胀系数的第二金属材料与具第三热膨胀系数的第三金属材料，所述第二热膨胀系数有别于所述第一热膨胀系数，所述第三热膨胀系数有别于所述第二热膨胀系数，其中所述第二金属材料位于所述第一金属材料与所述第三金属材料之间，其中所述多个开口的各者包括渐缩侧壁，所述渐缩侧壁形成在所述第三金属材料中，其中相较于所述第三金属材料，所述第一金属材料与所述第二金属材料被轻微地蚀刻，其中所述第一金属材料包括镍或镍合金。

7.如权利要求6所述的阴影掩模，其中所述第三金属材料有别于所述第一金属材料。

8.如权利要求6所述的阴影掩模，其中所述第二金属材料包括铜(Cu)。

9.如权利要求6所述的阴影掩模，其中所述渐缩侧壁包括45度至55度的角度。

10.一种用于形成阴影掩模的方法，包括下述步骤：

在心轴上电形成第一金属材料并且在所述第一金属材料上电形成第二金属材料，所述第二金属材料有别于所述第一金属材料，其中在所述第一金属材料与所述第二金属材料中形成多个同心开口；

将第三金属材料电形成至所述第二金属材料上，所述第三金属材料有别于所述第二金属材料，所述第三金属材料具有低于或等于14微米/米/摄氏度的热膨胀系数；以及

蚀刻所述第一金属材料、所述第二金属材料与所述第三金属材料，以于所述第一金属材料、所述第二金属材料与所述第三金属材料中形成多个同心开口，

其中相较于所述第三金属材料，所述第一金属材料与所述第二金属材料被轻微地蚀刻，

其中所述第一金属材料包括镍或镍合金。

11.如权利要求10所述的方法，其中在所述第三金属材料中的所述开口的各者包括渐缩侧壁。