[发明专利]薄膜晶体管的制造方法和薄膜晶体管

权利要求书

1.薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包含：

在基板的表面形成栅极的工序；

在形成了栅极的所述基板的表面形成绝缘膜的工序；

在形成了所述绝缘膜后形成由非晶硅构成的第1硅层的工序；

在所述第1硅层中从第1区域内的一部分或全部区域向所述第1区域的外部照射能量束而使所述第1硅层中的照射了所述能量束的部分变化为多晶硅并且将所述第1硅层作为第2硅层的工序，所述第1区域是作为所述薄膜晶体管的多晶硅层的区域；

对所述第2硅层进行蚀刻以使所述第1区域残留来形成所述多晶硅层的第1蚀刻工序；

覆盖所述多晶硅层并且形成由非晶硅构成的第3硅层的工序；

对所述第3硅层进行蚀刻来形成非晶硅层以使比所述第1区域宽的第2区域残留的第2蚀刻工序，所述第2区域是作为所述薄膜晶体管的所述非晶硅层的区域；和

形成使所述多晶硅层和所述非晶硅层成为了沟道层的源极和漏极的电极形成工序。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述电极形成工序形成所述源极和所述漏极，以使所述多晶硅层的一部分投影于所述基板的位置以及所述源极和所述漏极中的至少一者的一部分投影于所述基板的位置重叠。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述第1蚀刻工序包含：

使用多灰度等级的光掩模形成光致抗蚀剂的工序，该光致抗蚀剂保护所述第2硅层的所述第1区域和与所述第1区域邻接的区域，该光致抗蚀剂保护与所述第1区域邻接的区域的部分的厚度变得比保护所述第1区域的部分的厚度薄；

通过灰化从所述光致抗蚀剂将保护与所述第1区域邻接的区域的部分除去的工序；

从所述第2硅层将没有被所述光致抗蚀剂的残存部分保护的部分除去的工序，

所述第2蚀刻工序包含：

使用与所述第1蚀刻工序相同的光掩模形成光致抗蚀剂的工序，该光致抗蚀剂保护所述第3硅层的所述第2区域；

从所述第3硅层将没有被所述光致抗蚀剂保护的部分除去的工序。

4.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述第1蚀刻工序和所述第2蚀刻工序包含使用相同的光掩模形成光致抗蚀剂的工序，使蚀刻的条件不同以使所述非晶硅层的面积变得比所述多晶硅层的面积大。