[发明专利]使用富含铋的焊料的电子组合件有效
申请号: | 201580083334.2 | 申请日: | 2015-09-25 |
公开(公告)号: | CN108292610B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 刘丕林;P.K.穆图尔斯里纳;D.戈亚尔 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/48 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐予红;杨美灵 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 富含 焊料 电子 组合 | ||
一些形式涉及电子组合件,包含第一衬底,所述第一衬底具有安装在第一衬底的铜衬垫。电子组合件进一步包含第二衬底,所述第二衬底包含安装在第二衬底上的铜重分布层。电子组合件进一步包含富含铋的焊料,所述富含铋的焊料包含10‑40 w.t.%的锡。富含铋的焊料与铜衬垫和铜重分布层电接合。在一些形式中,铜重分布层是另一铜衬垫。第一衬底可包含存储器管芯以及第二衬底可包含逻辑管芯。在其它形式中,第一和第二衬底可以是各种不同的电子组件的部分。与第一和第二衬底关联的电子组件的类型将部分地取决于在其中电子组合件(连同其它因素一道)被利用的应用。
背景技术
焊点典型地包含一个衬底上的镍凸起和另一衬底上的铜衬垫的顶部上的电镀的阻挡层。电镀的阻挡层通常用于保护铜衬垫。
在跨越铜衬垫的阻挡层中典型地缺乏均匀性。这种均匀性的缺乏消极地影响阻挡层的有效性。这些阻挡层也通常要求不需要的额外的处理步骤和增加的成本。
此外,阻挡层在创建适当的焊点中可不是特别有效的。在焊点的形成期间,铜衬垫经常被完全消耗。如果在焊点的形成期间消耗太多铜衬垫,则焊点可形成不可靠的电连接。
附图说明
图1是在电子组件装配到一起之前的电子组合件中的电子组件的示意性侧视图。
图2示出在电子组件装配到一起以形成电子组合件之后的图1的电子组合件。
图3是在电子组件装配到一起之前的示例电子组合件中的电子组件的示意性侧视图。
图4是在电子组件装配到一起之前的另一示例电子组合件中的电子组件的示意性侧视图。
图5示出在电子组件装配到一起以形成电子组合件之后的图3或4的示例电子组合件。
图6是图示制作电子组合件的示例方法的流程图。
图7是电子装置的框图,所述电子装置包含本文描述的电子组合件和/或方法。
具体实施方式
以下描述和附图充分地图示具体的实施例以使本领域技术人员能够实践它们。其它实施例可包含结构、逻辑、电、工艺以及其它改变。一些实施例的部分和特征可包含在其它实施例的那些部分和特征中或替代它们。权利要求中阐述的实施例包含那些权利要求的所有可用的等同物。
如在本应用中使用的定向术语(诸如“水平”)关于与晶片或衬底的常规平面或表面平行的平面来定义,而不管晶片或衬底的定向。术语“垂直”指的是与如上面定义的水平正交的方向。诸如“在……上”、“侧”(如在“侧壁”中)、“更高”、“更低”、“在……上方”以及“在……下面”的介词关于在晶片或衬底的顶部表面上的常规平面或表面来定义,而不管晶片或衬底的定向。
本文描述的电子组合件和方法使用富含铋的焊料以形成具有最优化的锡含量的焊点。在焊点内最优化锡含量可解决在装配工艺期间由铜重分布层到金属间化合物的完全转换导致的重分布层铜衬垫打开问题。
在常规电子组合件和方法中的铜重分布层的这种完全转换是有问题的,因为理想的是将铜迹线的厚度最小化。在常规工艺中,在在通常使用的装配工艺期间发生的多个回流期间,可以迅速消耗薄的铜迹线。尤其当使用常规焊料时,这些多个回流可以导致形成为打开的焊点。
图1是在电子组件1、2装配到一起之前的常规电子组合件10中的电子组件1、2的示意性侧视图。图2示出在电子组件1、2装配到一起以形成电子组合件10之后的图1的电子组合件10。
焊点包含一个衬底4上的镍凸起3并且进一步包含另一衬底7上的铜衬垫6的顶部上的电镀的阻挡层5。电镀的阻挡层5通常用于保护铜衬垫6。
电子组合件10中的焊点遭受若干缺点的影响。一个缺点涉及在阻挡层5内维持质量。
另一缺点涉及跨越铜衬垫6的阻挡层5中均匀性的缺乏。这种均匀性的缺乏消极地影响阻挡层5的有效性。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580083334.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有含多层组装垫的引线框的半导体封装
- 下一篇:连接方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造