[发明专利]用来使封装集成电路管芯互连的方法、设备和系统有效
申请号: | 201580083355.4 | 申请日: | 2015-09-25 |
公开(公告)号: | CN108292653B | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 佘勇;J.G.迈尔斯;Z.丁;R.帕滕 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/488 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 郑浩;杨美灵 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用来 封装 集成电路 管芯 互连 方法 设备 系统 | ||
1.一种用于制造封装装置的方法,所述方法包括:
形成堆叠,所述堆叠包括多个集成电路IC管芯,其包含第一IC管芯和第二IC管芯;
使第一线的第一端耦合于所述第一IC管芯;
将所述第一线的第二端锚定到所述堆叠,其中所述第一线包括所述第二端和第一部分,所述第一部分包含所述第一端;
在所述第一端耦合于所述第一IC管芯并且所述第二端锚定到所述堆叠的同时,围绕所述多个IC管芯和所述第一部分设置封装材料;
在围绕所述多个IC管芯设置所述封装材料之后使所述第二端与所述第一部分分离,包含在所述封装材料的第一表面处使所述第一部分的另一端暴露;以及
使所述第一IC管芯耦合于所述第二IC管芯,包含在所述第一表面上形成再分布层,其中所述再分布层耦合于所述第二IC管芯并且耦合于所述第一部分的另一端。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述堆叠进一步包括虚拟层,并且其中使所述第二端锚定包含使所述第二端耦合于所述虚拟层。
3.如权利要求2所述的方法,其中所述虚拟层包括铝。
4.如权利要求1所述的方法,其中使所述第二端锚定包含使所述第二端耦合于所述多个IC管芯中的一个。
5.如权利要求1、2和4中的任何一项所述的方法,其中在分离之后,所述第一部分沿直线从所述第一IC管芯延伸到所述再分布层。
6.如权利要求5所述的方法,其中在分离之后,所述第一部分在与所述第一IC管芯的表面垂直的方向上从所述第一IC管芯的所述表面延伸通过所述封装材料。
7.如权利要求1、2和4中的任何一项所述的方法,其中使所述第二端与所述第一部分分离包含使所述封装材料变薄。
8.如权利要求1、2和4中的任何一项所述的方法,其中在围绕所述多个IC管芯和所述第一部分设置所述封装材料之后,所述第一线至少部分在所述封装材料外延伸。
9.如权利要求1、2和4中的任何一项所述的方法,其中形成所述堆叠包含布置交错配置的所述多个IC管芯。
10.如权利要求1、2和4中的任何一项所述的方法,其中使所述第一端耦合于所述第一IC管芯包含使多个线各自耦合于在所述第一IC管芯的表面上设置的接触垫中的相应一个,其中所述接触垫沿所述第一IC管芯的边缘成行布置。
11.如权利要求1所述的方法,其中使所述第二端与所述第一部分分离包含使所述封装材料变薄以使在平面中延伸的所述封装材料的表面暴露,其中除所述封装材料以外的第一材料设置在所述第二IC管芯与所述平面之间,其中所述第一材料的表面在所述平面中延伸并且其中所述封装材料在所述平面中设置在所述第一部分与所述第一材料之间。
12.如权利要求11所述的方法,其中所述第一材料包含残余粘合剂或残余虚拟材料。
13.如权利要求1、2和4中的任何一项所述的方法,其中所述第一线是刚性或半刚性的,并且其中在所述第一端耦合于所述第一IC管芯之前,所述第一线以拱形形成。
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