[发明专利]具有增大的接触面积的半导体器件接触

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，其被配置有从衬底延伸的鳍状物，该鳍状物包括沟道区；

该沟道区之上的栅极电极，其中在栅极电极和沟道区之间提供栅极电介质层并且在栅极电极的侧上提供栅极间隔部，且所述栅极电极具有上表面；

源极和漏极区，其在鳍状物中或者在鳍状物上并邻近沟道区且包括半导体材料；

延伸到源极和漏极区中的每一个中的沟槽，其中所述沟槽具有底部和顶部；

在每个沟槽的顶部处的偏移间隔部，其中所述偏移间隔部具有与所述栅极电极的所述上表面共面的上表面；以及

在源极和漏极区中的每一个中的沟槽内的接触金属，

其中所述接触金属具有与所述偏移间隔部的所述上表面共面的顶表面，

其中该源极和漏极区中的每一个都配置有缓变的掺杂方案，其包括对应沟槽所穿过的区域中的较低掺杂和其他区域中的较高掺杂，或者

其中该源极和漏极区中的每一个都包括掺杂部分和未掺杂部分，并且其中该沟槽中的每一个都穿过对应的未掺杂部分并且接近掺杂部分或者在掺杂部分中终止。

2.根据权利要求1所述的器件，其中该沟槽中的每一个都通过对应偏移间隔部而继续，并且该接触金属大幅填充该沟槽中的每一个。

3.根据权利要求1所述的器件，其中每个偏移间隔部都在源极和漏极区的半导体材料的顶部上。

4.根据权利要求1所述的器件，其中每个偏移间隔部都与提供在栅极电极的侧上的栅极间隔部接触。

5.根据权利要求1所述的器件，其中该偏移间隔部和提供在栅极电极的侧上的栅极间隔部包括相同的材料。

6.根据权利要求1所述的器件，其中该鳍状物包括不是衬底原生的半导体材料。

7.根据权利要求1所述的器件，其中该源极和漏极区的半导体材料不是衬底原生的。

8.根据权利要求1所述的器件，其中该鳍状物包括沟道区中的一个或多个线或带。

9.根据权利要求1所述的器件，其中该源极和漏极区被升高以使得它们延伸超出鳍状物的顶部。

10.根据权利要求1所述的器件，进一步包括每一个都在鳍状物的对应沟道区之上的多个栅极结构，每个栅极结构都包括对应栅极电极、栅极电介质和栅极间隔部，其中相邻栅极结构之间的距离基本上限定对应源极或漏极区的宽度，该宽度在与鳍状物平行的方向上。

11.根据权利要求1直至10中的任一项所述的器件，其中该器件是计算设备的一部分。

12.根据权利要求11所述的器件，其中该计算设备是移动计算设备。