[发明专利]用于多相传导系统的双间隙电流传感器在审
申请号: | 201580083369.6 | 申请日: | 2015-12-09 |
公开(公告)号: | CN108027393A | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
发明(设计)人: | S·E·舒尔茨;杜英睦;S·希蒂;R·M·布里斯 | 申请(专利权)人: | 法拉第未来公司 |
主分类号: | G01R15/20 | 分类号: | G01R15/20;G01R35/00 |
代理公司: | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 | 代理人: | 刘金峰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 多相 传导 系统 间隙 电流传感器 | ||
一种用于测量在三相导体系统的三个导体中的流淌的电流的三相电流传感器,所述三相电流传感器包括至少一个第一磁测量设备。所述磁测量设备包括磁路,所述磁路提供至少两个间隙以及布设在所述磁路的每个间隙中的磁场传感器。所述磁场传感器被布置在腔的两侧上,所述腔的尺寸设置为容纳所述三个导体中的一个。所述间隙以及所述磁场传感器被布置为使得来自相邻导体的杂散磁通量在经过每个传感器时具有实质上相等的幅值。
技术领域
本文公开的系统和方法涉及电流传感器,更特别地,涉及用于测量三相电传导系统中的电流的传感器。
背景技术
开环电流传感器典型地包括安装在磁芯的气隙中的磁场传感器。经过磁芯的导体产生能够与电流相比较的磁场。磁场被芯聚集,并且被磁场传感器测量。电流传感器典型地放大来自磁场传感器的信号,正是这个放大后的信号作为传感器的输出。通常使用的磁场传感器是霍尔效应传感器,其被集成到具有终端的ASIC中,所述终端连接到用于处理信号的印刷电路。开环电流传感器也可以具有提供温度补偿和校正后的高电平电压输出的电路。
在三相传导系统中,基于三个导体的电流总和为零的假设,可以通过将传感器布置为围绕三相中的两相来测量电流。但是,电流传感器可以被放置为围绕着三个导体中的每一个,例如,用于探测可能的泄漏电流。
发明内容
一方面涉及供电系统,所述供电系统包括:至少两个输出导体,所述输出导体限定实质上平行的纵轴线,所述纵轴线转而限定平面;电流传感器被布置为围绕至少两个导体中的第一导体,并且包括中央孔径、第一磁场探测器、第二磁场探测器和故障探测器,所述第一导体延伸穿过所述中央孔径,其中,所述第一磁场探测器和所述第二磁场探测器被布置在由所述至少两个输出导体的纵轴线限定的平面的相对侧上;所述故障探测器被配置为将至少部分地由所述第一磁场探测器和所述第二磁场探测器产生的数据进行比较。
一方面涉及用于测量在三相传导系统中流动的电流的电流检测系统,所述电流检测系统包括:第一磁路、第一磁场探测器对、第二磁路、第二磁场探测器对,所述第一磁路包括被布置为围绕第一导体的第一路部分和第二路部分,所述第一路部分和所述第二路部分由第一间隙和第二间隙分隔,所述第一间隙和所述第二间隙以与所述第一导体的纵轴线垂直的方向位于所述第一导体的相对侧上;所述第一磁场探测器对中的一个被安放在所述第一间隙中,所述第一磁场探测器对中的另一个被安放在所述第二间隙中;所述第二磁路包括被布置为围绕第二导体的第三路部分和第四路部分,所述第三路部分和所述第四路部分被第三间隙和第四间隙分隔,所述第三间隙和所述第四间隙以与所述第二导体的纵轴线垂直的方向位于所述第二导体的相对侧上;所述第二磁场探测器对中的一个被安放在所述第三间隙中,所述第二磁场探测器对中的另一个被安放在所述第四间隙中;其中,没有磁场探测器被直接地布置在所述第一导体和所述第二导体之间;所述故障探测电路与所述第一对磁场探测器和所述第二对磁场探测器数据通信。
一方面涉及用于测量在三相传导系统中流动的电流的电流检测系统,所述电流检测系统包括磁路、第一间隙和第二间隙、磁场探测器对和故障探测电路,所述磁路包括被布置为围绕第一导体的第一路部分和第二路部分,所述第一导体被定位在第二导体的邻近以内,使得所述第二导体的磁通量流经所述磁路;所述第一间隙和所述第二间隙分隔所述第一路部分和所述第二路部分,所述第一间隙和所述第二间隙位于所述第一导体的相对侧上;所述磁场探测器对中的一个被安放在所述第一间隙中,所述第一磁场探测器对中的另一个被布置在所述第二间隙中,所述第一间隙和所述第二间隙被定向为相对于所述第二导体使得所述第二导体的实质上相同的幅值的磁通量流经所述磁场探测器对的每一个磁场探测器;所述故障探测电路与所述磁场探测器对数据通信。
附图说明
被公开的各方面将在下文连同附图和附录描述,其被提供以用于示出而非限制被公开的方面,其中,相同的名称表示相同的元素。
图1示出了具有如本文描述的双间隙电流传感器的三相传导系统的示例。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于法拉第未来公司,未经法拉第未来公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580083369.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。