[发明专利]包括附加迹线的半导体功率器件及制造半导体功率器件的方法

权利要求书

1.一种半导体功率器件(100，300)，包括：

-第一衬底(110，400)，所述第一衬底(110，400)包括第一图案化导电层(112，113，412)，所述第一衬底(110，400)具有第一表面(111)，所述第一图案化导电层(112，113，412)设置在所述第一表面(111)上，

-第二衬底(120，450)，所述第二衬底(120，450)包括第二图案化导电层(122，422)和面向所述第一表面(111)的第二表面(121)，所述第二图案化导电层(122，422)被设置在所述第二表面(121)上，

-开关半导体元件(115，415，465，465’，465”)被布置在所述第一图案化导电层(112，113，412)和所述第二图案化导电层(122，422)之间，所述开关半导体元件被设置在所述第一图案化导电层上，

-导电迹线(132，432)和电介质材料层(131，431)的堆叠件(130，430)，所述电介质材料层(131，431)被至少部分地设置在所述第一图案化导电层(112，113，412)或所述第二图案化导电层(122，422)上，所述电介质材料层(131，431)将所述导电迹线(132，432)与设置有所述堆叠件(130，430)的所述图案化导电层(112，122，113，412，422)隔离，

-互连结构(140，141，440，440’，441，441’)，用于至少提供：

位于一侧的所述开关半导体元件(115)的基极或栅极与位于另一侧的所述导电迹线(132，432)之间的第一电气连接(140，440)，以及

位于一侧的所述开关半导体元件(115)的漏极、源极、发射极或集电极中的至少一个与位于另一侧的所述第二图案化导电层(122，422)之间的第二电气连接。

2.根据权利要求1所述的半导体功率器件(100，300)，其中所述电介质材料层(131，431)在所述导电迹线(132，432)与设置有所述堆叠件的所述图案化导电层(112，122，113，412，422)之间具有至少20伏特的电介质击穿电压。

3.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体功率器件(100，300)，还包括附加导电迹线(333)和附加电介质材料层(331)的附加堆叠件(330)，所述附加电介质材料层(331)被设置在所述第一图案化导电层(112，113，412)或所述第二图案化导电层(122，422)上，所述附加电介质材料层(331)将所述附加导电迹线(333)与设置有所述附加堆叠件(330)的所述图案化导电层(112，122，113，412，422)隔离。

4.根据权利要求1或2所述的半导体功率器件(100，300)，其中所述电介质材料包括环氧树脂或氧化物材料或阻焊剂。

5.根据权利要求4所述的半导体功率器件(100，300)，其中所述电介质材料层(131，431)包括两个环氧树脂层。

6.根据权利要求1或2所述的半导体功率器件(100，300)，其中所述导电迹线(132，432)包括金属，或所述导电迹线(132，432)包括环氧树脂，在所述环氧树脂中设置一定量的导电颗粒以获得导电的迹线。

7.根据权利要求1或2所述的半导体功率器件(100，300)，其中所述导电迹线(132，432)包括固体多孔银。

8.根据权利要求1或2所述的半导体功率器件(100，300)，其中所述第一衬底(110，400)和所述第二衬底(120，450)中的至少一个包括陶瓷支撑层。

9.根据权利要求1或2所述的半导体功率器件(100，300)，其中所述开关半导体元件(115，415，465，465’，465”)包括基于宽禁带半导体材料的晶体管。

10.根据权利要求9所述的半导体功率器件(100，300)，其中所述宽禁带半导体材料包括SiC、GaN或金刚石。