[发明专利]使能对用于半导体封装的硅桥的在线测试的保护环设计有效
| 申请号： | 201580083473.5 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN108140615B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | A·萨卡尔;S·沙兰;D-W·金 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 封装 在线 测试 保护环 设计 | ||
1.一种半导体结构，包括：
衬底，所述衬底具有设置在其上的绝缘层；
金属化结构，所述金属化结构设置在所述绝缘层上，所述金属化结构包括设置在电介质材料堆叠体中的导电布线；
第一金属保护环，所述第一金属保护环设置在所述电介质材料堆叠体中并围绕所述导电布线，所述第一金属保护环包括多个个体保护环段；
第二金属保护环，所述第二金属保护环设置在所述电介质材料堆叠体中并围绕所述第一金属保护环；以及
电测试特征，所述电测试特征设置在所述电介质材料堆叠体中、在所述第一金属保护环与所述第二金属保护环之间，所述电测试特征通过穿过所述第一金属保护环的金属线耦合到所述导电布线。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述电测试特征包括用于信号线和用于VSS线的测试焊盘。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一金属保护环的所述多个个体保护环段被布置成交错的个体保护环段的两个相邻线。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述衬底具有周边，所述半导体结构还包括围绕所述第二金属保护环的所述电介质材料堆叠体的无金属区，所述无金属区被设置为与所述第二金属保护环相邻并与所述衬底的所述周边相邻。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二金属保护环为所述金属化结构提供气密密封。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一金属保护环或所述第二金属保护环中的至少一个包括沿着公共轴对齐的交替的金属线和过孔的垂直堆叠体。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述金属化结构的最上层包括位于其上的第一多个导电焊盘和第二多个导电焊盘。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电布线将所述第一多个导电焊盘与所述第二多个导电焊盘电耦合。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述衬底不具有设置在其中的半导体器件。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述衬底是单晶硅衬底。
11.一种半导体结构，包括：
衬底，所述衬底具有设置在其上的绝缘层；
金属化结构，所述金属化结构设置在所述绝缘层上，所述金属化结构包括设置在电介质材料堆叠体中的导电布线；
第一连续金属保护环，所述第一连续金属保护环设置在所述电介质材料堆叠体中并围绕所述导电布线；
第二连续金属保护环，所述第二连续金属保护环设置在所述电介质材料堆叠体中，并在与所述第一连续金属保护环相距第一距离处围绕所述第一连续金属保护环的第一部分，并在比所述第一距离小的第二距离处围绕所述第一连续金属保护环的第二部分；
电测试特征，所述电测试特征设置在所述电介质材料堆叠体中、在所述第一连续金属保护环的所述第二部分与所述金属化结构之间，所述电测试特征耦合到所述导电布线。
12.根据权利要求11所述的半导体结构，其中，所述电测试特征包括用于信号线和用于VSS线的测试焊盘。
13.根据权利要求11所述的半导体结构，其中，所述电测试特征设置在所述第一连续金属保护环的所述第二部分与被布置成交错的个体保护环段的两个相邻线的多个个体保护环段之间，并且其中，所述电测试特征通过穿过所述多个个体保护环段的金属线耦合到所述导电布线。
14.根据权利要求11所述的半导体结构，其中，所述衬底具有周边，所述半导体结构还包括围绕所述第二连续金属保护环的所述电介质材料堆叠体的无金属区，所述无金属区被设置为与所述第二连续金属保护环相邻并与所述衬底的所述周边相邻。
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