[发明专利]隔膜位移流量计有效
申请号: | 201580083850.5 | 申请日: | 2015-10-14 |
公开(公告)号: | CN108139242B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | G.T.兰纳姆 | 申请(专利权)人: | 高准公司 |
主分类号: | G01F1/28 | 分类号: | G01F1/28 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李强 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔膜 位移 流量计 | ||
1.一种流量计(5),包括:
壳体(28),其构造成接收过程材料的流;
布置在所述壳体(28)中的隔膜(18),其中所述隔膜(18)能够通过所述过程材料的流而形变,其中,所述隔膜(18)包括构造成允许过程材料从中流过的孔(42),且其中,所述隔膜(18)包括感测环(20),该感测环(20)具有由其所限定的第二孔(50),该第二孔(50)构造成允许过程材料从中流过;
磁性传感器(48),其构造成经由所述感测环(20)的位置来检测所述隔膜(18)中的形变;且
其中,所述流量计(5)构造成测量所述过程材料的流量。
2.根据权利要求1所述的流量计(5),其特征在于,所述传感器(48)是霍尔效应传感器。
3.根据权利要求1所述的流量计(5),其特征在于,所述感测环(20)包括含铁部分。
4.根据权利要求1所述的流量计(5),其特征在于,所述感测环(20)包括磁性部分。
5.根据权利要求1所述的流量计(5),其特征在于,还包括布置在所述传感器(48)附近的磁体(52)。
6.根据权利要求1所述的流量计(5),其特征在于,还包括构造成接收所述流量计(5)的基部(12)。
7.根据权利要求6所述的流量计(5),其特征在于,所述传感器(48)布置在所述基部(12)中。
8.根据权利要求1所述的流量计(5),其特征在于,还包括构造成检测所述过程材料的温度的温度传感器(34)。
9.根据权利要求8所述的流量计(5),其特征在于,还包括构造成接收所述流量计(5)的基部(12),所述温度传感器(34)布置在所述基部(12)中。
10.根据权利要求6所述的流量计(5),其特征在于,还包括:
与所述流量计(5)一起的、包括相关联的数据的数据发送器(56);和
与所述基部(12)一起的数据接收器(58),其中与所述数据发送器(56)相关联的数据能够被传送到所述数据接收器(58)。
11.根据权利要求1所述的流量计(5),其特征在于,所述隔膜(18)中的形变与所述过程材料的流量成比例。
12.一种通过流量计测量过程材料的流量的方法,包括:
提供构造成接收过程材料的流的壳体,具有布置在其中的隔膜;
在所述隔膜上提供感测环;
提供构造成检测所述隔膜中的形变的磁性传感器,其中,该传感器构造成检测所述感测环的位置;
在所述隔膜中形成孔,其中,所述孔构造成允许过程材料从中流过,且其中,所述感测环包括由其所限定的第二孔,该第二孔构造成允许过程材料从中流过;
使过程材料流过所述壳体;
利用所述过程材料的流的力使所述隔膜形变;和
测量所述过程材料的流量。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述隔膜的形变与所述过程材料的流量成比例。
14.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述传感器是霍尔效应传感器。
15.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述感测环包括含铁部分。
16.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述感测环包括磁性部分。
17.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,包括将磁体靠近所述传感器放置的步骤。
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