[发明专利]具有集成在封装构造上的化合物半导体器件的微电子器件与高频通信模块

权利要求书

1.一种微电子器件，包括：

利用基于硅的衬底形成的第一管芯；

耦合到第一管芯的第二管芯，该第二管芯是在不同的衬底中利用化合物半导体材料形成的；以及

耦合到第二管芯的天线单元，该天线单元用于以近似4GHz或更高的频率来发送和接收通信。

2.根据权利要求1所述的微电子器件，进一步包括：

耦合到至少一个管芯的集成无源管芯（IPD），该IPD包括用于无源匹配网络的无源件。

3.根据权利要求2所述的微电子器件，其中该第一管芯包括互补金属氧化物半导体（CMOS）基带单元和收发器单元，该第一管芯以倒装芯片方式处在微电子器件的第一侧的表面上。

4.根据权利要求3所述的微电子器件，其中该第二管芯包括利用III-V族材料形成的附接在微电子器件的第二侧的表面上功率放大器。

5.根据权利要求4所述的微电子器件，其中该微电子器件的第一侧与该微电子器件的第二侧相对。

6.根据权利要求1所述的微电子器件，进一步包括：

耦合到至少一个管芯的第三管芯，该第三管芯具有利用化合物半导体材料形成的器件或电路。

7.根据权利要求1所述的微电子器件，其中该微电子器件包括用于5G通信的5G封装架构。

8.一种通信模块，包括：

利用基于硅的衬底形成的第一管芯；

耦合到第一管芯的第二管芯，该第二管芯是在不同的衬底中利用化合物半导体材料形成的，其被嵌入该通信模块内；以及

耦合到第一和第二管芯中的至少一个的天线单元，该天线单元用于以近似15GHz或更高的频率来发送和接收通信。

9.根据权利要求1所述的通信模块，进一步包括：

耦合到至少一个管芯的集成无源管芯（IPD），该IPD被嵌入通信模块内。

10.根据权利要求9所述的通信模块，其中该第一管芯包括互补金属氧化物半导体（CMOS）基带和收发器电路，该第一管芯以倒装芯片方式处在通信模块的第一侧上。

11.根据权利要求10所述的通信模块，其中该第二管芯包括利用III-V族材料形成的嵌入通信模块内的功率放大器、低噪声放大器、开关和其他电路中的至少一个。

12.根据权利要求8所述的通信模块，进一步包括：

耦合到至少一个管芯的第三管芯，该第三管芯具有利用化合物半导体材料形成的器件或电路。

13.根据权利要求12所述的通信模块，其中该第三管芯被嵌入通信模块内。

14.根据权利要求8所述的通信模块，其中该通信模块包括用于5G通信的5G封装架构。

15.一种计算设备，包括：

用来处理数据的至少一个处理器；以及

耦合到至少一个处理器的通信模块或芯片，该通信模块或芯片包括：

利用基于硅的衬底形成的第一管芯；

具有耦合到第一管芯的第二管芯的第一包覆成型组件，该第二管芯具有在不同的衬底中利用化合物半导体材料形成的器件或电路；以及

耦合到第二管芯的天线单元，该天线单元用于以近似15GHz或更高的频率来发送和接收通信。

16.根据权利要求15所述的计算设备，其中该第一包覆成型组件进一步包括耦合到至少一个管芯的集成无源管芯（IPD），该IPD包括用于无源匹配网络的无源件。