[发明专利]设计有包括集成在封装上的管芯结构上的化合物半导体器件的高频通信器件的微电子器件

权利要求书

1.一种微电子器件，包括：

第一管芯，其具有基于硅的衬底；

第二管芯，其通过布线层耦合到所述第一管芯，所述布线层垂直地位于所述第一管芯与所述第二管芯之间，所述第二管芯利用化合物半导体材料形成在不同的衬底中；以及

衬底，其利用多个连接耦合到所述第一管芯，所述衬底包括用于在4GHz或更高的频率下发送和接收通信的天线单元，其中，所述衬底在所述第二管芯上方，并且其中，所述天线单元完全在所述第二管芯上方。

2.根据权利要求1所述的微电子器件，还包括：

集成无源管芯(IPD)，其利用所述布线层或凸块耦合到至少一个管芯，所述IPD包括用于无源匹配网络的无源器件。

3.根据权利要求1所述的微电子器件，其中，所述第二管芯还包括利用所述第二管芯的所述化合物半导体材料形成的至少一个功率放大器。

4.根据权利要求1所述的微电子器件，还包括：

中介层衬底，其用于提供所述第一管芯和所述衬底之间的间距并且电气地耦合所述第一管芯和所述衬底。

5.根据权利要求4所述的微电子器件，其中，所述中介层衬底包括电源和用于屏蔽所述第二管芯的RF信号的屏蔽体。

6.根据权利要求1所述的微电子器件，还包括：

第三管芯，其耦合到所述第一管芯，所述第三管芯具有形成在化合物半导体材料中的至少一个开关。

7.根据权利要求1所述的微电子器件，其中，所述微电子器件包括用于5G通信的5G封装架构以及更高代的封装架构。

8.根据权利要求4所述的微电子器件，其中，所述第一管芯倒装在所述中介层衬底的表面上。

9.一种微电子器件，包括：

第一管芯，其具有基于硅的衬底；以及

包覆成型部件，其具有包括通过布线层耦合到所述第一管芯的第二管芯的多个管芯，所述布线层垂直地位于所述第一管芯与所述第二管芯之间；所述第二管芯利用化合物半导体材料形成；以及

衬底，其利用多个连接耦合到所述第一管芯，所述衬底包括用于在15GHz或更高的频率下发送和接收通信的天线单元，其中，所述衬底在所述第二管芯上方，并且其中，所述天线单元完全在所述第二管芯上方。

10.根据权利要求9所述的微电子器件，其中，所述包覆成型部件的所述多个管芯还包括：

集成无源管芯(IPD)，其耦合到至少一个管芯，所述IPD包括用于无源匹配网络的无源器件。

11.根据权利要求9所述的微电子器件，其中，所述包覆成型部件包括用于屏蔽所述第二管芯的RF信号的多个穿模连接。

12.根据权利要求9所述的微电子器件，还包括：

中介层衬底，其用于提供所述第一管芯和所述衬底之间的间距并且电气地耦合所述第一管芯和所述衬底。

13.根据权利要求12所述的微电子器件，其中，所述中介层衬底包括电源和用于屏蔽所述第二管芯的RF信号的屏蔽体。

14.根据权利要求9所述的微电子器件，还包括：

第三管芯，其利用穿模连接耦合到所述衬底。

15.根据权利要求9所述的微电子器件，其中，所述微电子器件包括用于5G通信的5G封装架构。

16.根据权利要求9所述的微电子器件，其中，所述包覆成型部件包括至少一个穿模连接以耦合所述第一管芯和所述衬底。