[发明专利]用于IGZO非平面器件的环绕式导电金属氧化物接触部的制作

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

形成于所述衬底上方的InGaZnO（IGZO）鳍状物；

由单一材料层形成的源极接触部，其中，所述源极接触部与所述IGZO鳍状物的侧壁表面和所述IGZO鳍状物的顶表面相邻，其中，所述IGZO鳍状物的侧壁表面具有高度，并且其中，所述源极接触部与所述IGZO鳍状物的侧壁表面的部分高度接触而不与其整个高度接触；

由单一材料层形成的漏极接触部，其中，所述漏极接触部与所述IGZO鳍状物的侧壁表面和所述IGZO鳍状物的顶表面相邻，并且其中，所述漏极接触部与所述IGZO鳍状物的侧壁表面的部分高度接触而不与其整个高度接触；以及

形成于所述源极接触部和所述漏极接触部之间的栅极电极，其中，所述栅极电极通过栅极电介质与所述IGZO鳍状物隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极接触部和所述漏极接触部与所述IGZO鳍状物直接接触。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

设置在所述IGZO鳍状物与所述源极接触部和所述漏极接触部之间的界面层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述IGZO鳍状物包括IGZO材料和牺牲材料的一个或多个交替层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极接触部和所述漏极接触部至少通过所述栅极电介质与所述栅极电极隔开。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述源极接触部和所述漏极接触部至少通过所述栅极电介质和间隔体与所述栅极电极隔开。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极接触部和所述漏极接触部包括导电氧化物。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述导电氧化物是铟锡氧化物（ITO）或者铟锌氧化物（IZO）。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极接触部和所述漏极接触部包括半导体材料。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底是电介质层。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述电介质层是集成电路芯片的后段工艺（BEOL）堆叠体中的层。

12.一种形成非平面InGaZnO（IGZO）晶体管的方法，包括：

在衬底之上形成第一层，其中，所述第一层包括IGZO；

使所述第一层图案化，以形成鳍状物；

在所述鳍状物之上形成虚设栅极电极；

在所述虚设栅极电极的相对侧上形成源极接触部和漏极接触部，其中，所述源极接触部和所述漏极接触部由单一材料层形成并且与所述鳍状物的侧壁表面和所述鳍状物的顶表面相邻，其中，所述鳍状物的侧壁表面具有高度，并且其中，所述源极接触部和所述漏极接触部与所述鳍状物的侧壁表面的部分高度接触而不与其整个高度接触；

去除所述虚设栅极电极；

在所述IGZO的暴露部分上形成栅极电介质层；以及

在所述栅极电介质层之上形成栅极电极。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述源极接触部和所述漏极接触部包括：

在所述鳍状物之上形成电介质层；

使所述电介质层图案化，以形成接触部开口，其中，所述接触部开口具有比所述鳍状物的宽度大的宽度；以及

将导电材料沉积到所述接触部开口中。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

在沉积所述导电材料之前将导电界面层沉积到所述接触部开口中，其中，所述导电界面层与所述鳍状物的表面一致。