[发明专利]微发光二极管转移方法及制造方法有效
| 申请号： | 201580085204.2 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN108431971B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 邹泉波 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L21/677;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 杨国权;李慧 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 转移 方法 制造 | ||
1.一种微发光二极管转移方法，包括：
微发光二极管通过第一接合层被接合在承载衬底上；在承载衬底上涂覆牺牲层，所述牺牲层完全覆盖微发光二极管及其之间的空隙；
对牺牲层进行构图，以暴露要拾取的微发光二极管；
通过第二接合层将要拾取的微发光二极管接合到拾取衬底；
通过侧向钻蚀去除牺牲层；
从承载衬底剥离要拾取的微发光二极管；
通过第三接合层将拾取衬底上的微发光二极管接合到接收衬底；以及
从拾取衬底剥离所述微发光二极管；
第一接合层和第三接合层是焊料层，以及第二接合层是聚合物层；第一接合层和第三接合层的剥离特性和第二接合层的剥离特性不同；
通过冗余技术设置冗余的微发光二极管。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，第一接合层的熔点低于280℃，以及通过加热从承载衬底剥离要拾取的微发光二极管。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二接合层是热释放胶带或者是能够被紫外线固化且被激光剥离的膜。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层是光刻胶，以及通过光刻对所述牺牲层进行构图。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，牺牲层通过蚀刻液被去除。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，微发光二极管的侧面长度是1-100μm。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，拾取衬底的材料包括玻璃、蓝宝石、石英和硅中的一种。
8.一种用于制造微发光二极管装置的方法，包括使用根据权利要求1-7中的任一项所述的方法将微发光二极管转移到微发光二极管装置的接收衬底上。
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