[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

半导体衬底；

铝电极，其形成于所述半导体衬底之上；

焊料连接用的金属膜，其形成于所述铝电极之上；以及

有机保护膜，其形成于所述铝电极之上，与所述金属膜分离，

所述有机保护膜与所述金属膜的间隔大于或等于所述有机保护膜的厚度的一半。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属膜是相对于焊料的接合强度比所述铝电极高、比所述铝电极硬的物质。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述有机保护膜是杨氏模量比所述铝电极低的物质。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

还具有中间层，该中间层在所述金属膜与所述有机保护膜之间将所述铝电极覆盖，是杨氏模量比所述有机保护膜高的物质。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属膜的端部伸出至所述中间层之上。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述中间层也形成于所述铝电极与所述有机保护膜的端部之间。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属膜是将所述中间层作为掩模而通过镀敷法形成的。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还具有：

背面电极，其形成于所述半导体衬底的背面；以及

绝缘基板，其具有电路图案，

所述背面电极与所述绝缘基板的所述电路图案进行烧结接合。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

还具有Ag膜作为烧结接合的接合剂。

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属膜以Ni或Cu作为主要成分。

11.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体衬底是宽带隙半导体。

12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：

在半导体衬底之上形成铝电极的工序；

在所述铝电极之上形成焊料连接用的金属膜以及与所述金属膜分离的有机保护膜的工序；

在所述半导体衬底的背面形成背面电极的工序；以及

在所述背面电极与绝缘基板的电路图案之间涂敷Ag颗粒，从表面侧对所述半导体衬底进行加压，从而使所述背面电极与所述电路图案进行Ag烧结接合的工序，

所述有机保护膜与所述金属膜的间隔大于或等于所述有机保护膜的厚度的一半。

13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还具有下述工序：

将具有开口的中间层形成于所述铝电极之上的工序；以及

将所述中间层作为掩模而通过镀敷法形成所述金属膜的工序，

所述中间层在所述金属膜与所述有机保护膜之间将所述铝电极覆盖，是杨氏模量比所述有机保护膜高的物质。