[发明专利]用于去除硫化氢的吸附剂材料在审

专利信息
申请号: 201580085219.9 申请日: 2015-10-13
公开(公告)号: CN110022971A 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: M·查帕特塞斯;V·V·巴拉苏布拉曼尼安;Y·A·瓦赫迪;A·哈希米 申请(专利权)人: 明尼苏达大学董事会;哈利法科技大学
主分类号: B01J20/06 分类号: B01J20/06
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 江磊;郭辉
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 硫化氢 吸附剂材料 输入气体 输出气体 去除 氧化镁 氧化铜 原子比 氧化铝 暴露
【权利要求书】:

1.一种用于去除输入气体中硫化氢的方法,所述方法包括:

将吸附剂材料曝露于输入气体以获得输出气体,其中,输出气体的硫化氢浓度小于输入气体的硫化氢浓度;

吸附剂材料包括氧化铜、氧化镁、和氧化铝,其中,吸附剂材料的铜与镁与铝的原子比为X:Y:Z,

其中,X大于或等于0.6且小于或等于0.9,

其中,Y大于或等于0且小于或等于0.2,

其中,Z大于或等于0且小于或等于0.2,

其中,X+Y+Z等于1。

2.如权利要求1所述的方法,所述方法还包括:在吸附剂材料曝露于输入气体后使得吸附剂材料再生,其中,使得吸附剂材料再生包括:

使得吸附剂材料曝露于氧化气体;以及

在将吸附剂材料曝露于氧化气体之后,将吸附剂材料曝露于还原气体。

3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述输入气体具有约0℃至700℃的第一温度。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述氧化气体具有高于第一温度的第二温度。

5.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述氧化气体包括O2

6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述氧化气体包含在N2中的约5%O2

7.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述还原气体包括氢气、甲烷和/或水。

8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,还原气体含有大于0体积%且小于或等于10体积%的氢气。

9.如权利要求7所述的方法,其特征在于,还原气体含有大于0体积%且小于或等于90体积%的甲烷。

10.如权利要求7所述的方法,其特征在于,还原气体含有大于0体积%且小于或等于100体积%的水。

11.如权利要求2所述的方法,其特征在于,在再生之前,吸附剂材料的硫吸附容量大于或等于约2mmol硫/克吸附剂材料、且小于或等于约10mmol硫/克吸附剂材料。

12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,在再生之后,吸附剂材料的硫吸附容量大于或等于约1.4mmol硫/克吸附剂材料、且小于或等于约10mmol硫/克吸附剂材料。

13.一种用于去除输入气体中硫化氢的系统,所述系统包括:

输入气体的来源和出口之间的第一导管;

输入气体的来源和出口之间的第二导管,第二导管与第一导管不同;

吸附剂材料的第一部分和第二部分,其分别置于第一导管和第二导管中,所述吸附剂材料包括氧化铜、氧化镁、和氧化铝,其中,吸附剂材料的铜与镁与铝的原子比为X:Y:Z,

其中,X大于或等于0.6且小于或等于0.9,

其中,Y大于或等于0且小于或等于0.2,

其中,Z大于或等于0且小于或等于0.2,

其中,X+Y+Z等于1;并且

控制来自来源的输入气体流动至第一和第二导管的阀门组件,在第一构型中,所述阀门组件设置为引导输入气体通过第一导管而氧化气体通过第二导管。

14.如权利要求13所述的系统,其特征在于,在第二构型中,阀门组件构造为引导输入气体通过第二导管而引导氧化气体通过第一导管。

15.如权利要求14所述的系统,其特征在于,所述系统还包括在第一导管出口处的传感器组件,所述传感器组件与阀门组件连通,并且编程为当传感器确定第一导管出口处的输出气体的硫化氢浓度超过阈值浓度时阀门组件从第一构型切换到第二构型。

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