[其他]可变电容器

说明书

技术领域

本实用新型涉及例如RFID(Radio Frequency Identification：射频识别)系统、近距离无线通信(NFC：Near Field Communication)系统等通信装置所使用的可变电容器。

背景技术

以往，在专利文献1、2等中提出了借助施加控制电压来改变介电常数的可变电容元件。这些可变电容元件采用金属、铁电体材料、金属的层叠结构(MIM结构)，具备有薄膜的铁电体以便在低电压下能够得到较大的电容变化量。

专利文献1：日本专利第4502609号公报

专利文献2：日本专利第5000660号公报

具备铁电体膜的可变电容元件的缺点在于，与MEMS的可变电容元件、可变电容二极管那样的半导体的可变电容元件相比，耐ESD(Electro-Static Discharge：静电放电)的特性较差。

虽然若使铁电体膜的膜厚变薄则能够提高控制灵敏度(电容值变化相对于控制电压变化的比)，但是随着铁电体膜的薄膜化，耐ESD特性发生劣化。即，若产生超出耐ESD特性的ESD，则其浪涌施加于铁电体膜，使铁电体膜遭到绝缘破坏。因此，从耐ESD的观点来看，在铁电体膜的薄膜化中产生制约，因此，控制灵敏度也受其限制。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种耐ESD特性较高的可变电容器。

本实用新型的可变电容器的特征在于，具有：半导体基板；设置在该半导体基板的主面上的再布线层；以及包括第一输入输出端子、第二输入输出端子及接地端子的多个端子电极，

在上述再布线层形成有铁电体薄膜型的可变电容元件部，该可变电容元件部由分别与上述第一输入输出端子以及上述第二输入输出端子连接的一对电容器电极、和在上述一对电容器电极之间配置的铁电体薄膜构成，

在上述半导体基板形成有连接于第一输入输出端子或第二输入输出端子与接地端子之间的ESD保护元件。

根据上述结构，可变电容元件部形成于再布线层，ESD保护元件形成于半导体基板。由此，容易确保可变电容元件部与ESD保护元件部之间的绝缘，能够构成耐ESD特性优异且控制灵敏度较高的小型的可变电容器。

优选在上述半导体基板的主面设置有用于将ESD保护元件连接于接地端子与第一输入输出端子或第二输入输出端子的电极焊盘，该电极焊盘由W或WSi形成。由此，半导体基板的电极焊盘的耐热性较高，能够将具有需要高温下的热处理的铁电体薄膜层的可变电容元件部组装入再布线层。

优选在俯视观察时，上述可变电容元件部设置于不与ESD保护元件以及ESD保护元件的电极焊盘重叠的位置。由此，更加容易确保可变电容元件部与ESD保护元件部之间的绝缘，并且能够确保可变电容元件部的基底部分的平坦性，能够提高可变电容元件部的可靠性。

优选在上述可变电容元件部与控制电压施加端子之间设置有电阻元件，电阻元件形成于再布线层中就设置有可变电容元件部的层而言与上述半导体基板相反的一侧的层。由此，无需在外部设置电阻元件，能够大幅地减少元件数。并且，由于该电阻元件在就设置有可变电容元件部层而言与半导体基板相反的一侧的层，因而不会对可变电容元件部的平坦性带来负面影响，能够提高ESD保护元件部与电阻元件之间的绝缘性。

优选在上述可变电容元件部与上述半导体基板之间设置有绝缘层。换言之，由于半导体基板与电容器电极之间形成绝缘层，因此能够进一步提高ESD保护部与可变电容元件部之间的绝缘性。

根据本实用新型，能够得到控制灵敏度较高，具备耐ESD性并且小型的可变电容器。

附图说明

图1是第一实施方式所涉及的可变电容器91的电路图。

图2是可变电容器91的示意性剖视图。

图3A是示出可变电容器91的详细结构及制造方法的剖视图。

图3B是接着图3A示出可变电容器91的详细结构及制造方法的剖视图。

图4是观察可变电容器91的安装面侧而得到的俯视图。

图5A是示出第二实施方式所涉及的可变电容器92的结构及制造方法的剖视图。

图5B是接着图5A示出可变电容器92的结构及制造方法的剖视图。

图6是示出可变电容器92的内部的元件配置的示意图。图6中(A)是示意性俯视图，图6中(B)是示意性主视图。

图7是第三实施方式所涉及的可变电容器93的剖视图。

图8A是示出可变电容器93的结构及制造方法的剖视图。

图8B是接着图8A示出可变电容器93的结构及制造方法的剖视图。