[其他]微测辐射热仪及红外摄像机和成像装置

权利要求书

1.一种微测辐射热仪，其特征在于，该微测辐射热仪包括：

桥，该桥包括：

温度敏感电阻层；

在温度敏感电阻层上方和下方的一层或多层吸收介电层；

与温度敏感电阻层电隔离的并且在吸收介电层上方和/或下方的一层或多层金属层；以及

置于所述一层或多层金属层上的介电层，其中所述金属层的每一层在所述介电层和所述吸收介电层的一层之间。

2.根据权利要求1所述的微测辐射热仪，其特征在于，所述一层或多层金属层包括布置在桥的顶表面和/或底表面处或附近的金属。

3.根据权利要求1所述的微测辐射热仪，其特征在于，所述一层或多层金属层包括一种或多种过渡金属。

4.根据权利要求1所述的微测辐射热仪，其特征在于，所述一层或多层金属层包括钛。

5.根据权利要求1所述的微测辐射热仪，其特征在于，所述一层或多层金属层包括过渡金属和过渡金属的氧化物的堆叠。

6.根据权利要求5所述的微测辐射热仪，其特征在于，所述一层或多层金属层包括钛和氧化钛的堆叠。

7.根据权利要求1所述的微测辐射热仪，其特征在于，所述一层或多层金属层具有在10埃和1500埃之间的厚度。

8.根据权利要求1所述的微测辐射热仪，其特征在于：

所述温度敏感电阻层包括氧化钒、氧化镍、α-硅、α-SiGe、氧化钛、氧化钼，和/或二极管元件；和

所述微测辐射热仪是形成焦平面阵列的多个微测辐射热仪中的一个。

9.一种红外摄像机，其特征在于，该红外摄像机包括：

包括微测辐射热仪的焦平面阵列；和

读出集成电路，其中桥通过至少一条腿耦合到所述读出集成电路并且悬挂在所述读出集成电路上方，

其中所述微测辐射热仪包括：

桥，该桥包括：

温度敏感电阻层；

在温度敏感电阻层上方和下方的一层或多层吸收介电层；和

与温度敏感电阻层电隔离的并且在温度敏感电阻层上方和/或下方的一层或多层金属层；

其中温度敏感电阻层夹在所述金属层和所述读出集成电路之间。

10.一种微测辐射热仪，其特征在于，该微测辐射热仪包括：

桥，该桥包括：

第一介电层；

温度敏感电阻层；

形成在第一介电层和温度敏感电阻层之间的第一金属层；

在温度敏感电阻层下方的一层或多层吸收介电层，其中所述一层或多层吸收介电层在所述第一金属层和所述温度敏感电阻层之间；

在温度敏感电阻层上方的一层或多层吸收介电层；

形成在位于温度敏感电阻层上方的吸收介电层的至少一层上方的第二金属层；和

完全或部分封装所述第二金属层的第二介电层。

11.一种成像装置，其特征在于，该成像装置包括：

微测辐射热仪阵列；和

读出集成电路，其中每个微测辐射热仪都通过至少一个金属腿悬挂在读出集成电路中的相关处理电路上方，其中每个微测辐射热仪包括：

第一吸收层，

第二吸收层，

布置在第一吸收层和第二吸收层之间的温度敏感电阻层，和

形成在所述第一吸收层上的红外吸收增强金属层，其中所述第二吸收层比所述第一吸收层更接近于读出集成电路。

12.根据权利要求11所述的成像装置，其特征在于，所述红外吸收增强金属层包括厚度在10埃和1500埃之间的钛层。