[其他]压电设备有效
申请号: | 201590001121.6 | 申请日: | 2015-11-17 |
公开(公告)号: | CN206878791U | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 岸本谕卓 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H9/25 | 分类号: | H03H9/25;H01L41/09;H01L41/337;H03H3/08 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 李逸雪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及使用了压电单结晶的薄膜的压电设备以及压电设备的制造方法。
背景技术
近年来,使用了压电单结晶的薄膜的压电设备被较多开发。这种压电设备中,具有:形成有作为压电设备发挥作用的电极的压电薄膜、和支承该压电薄膜的支承体,并且使用在形成有电极的区域与支承体之间形成空间的隔膜构造(例如,参照专利文献1)。
专利文献1中,记载了隔膜构造的压电谐振器的制造方法。专利文献1中所述的制造方法首先在压电体的表面形成牺牲层,在压电体的表面粘合支承部件以使得覆盖牺牲层。压电体膜被从压电体剥离,在该压电体膜上形成所谓IDT(Inter Digital Transducer,叉指型换能器)电极等。并且,在压电体膜形成贯通孔,经由贯通孔,进行蚀刻来去除牺牲层。由此,制造出压电体膜为在空隙上悬浮的状态的压电谐振器。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第4636292号
实用新型内容
-实用新型要解决的课题-
在专利文献1中,由于在形成空隙时,经由形成于压电体膜的贯通孔来去除牺牲层,因此贯通孔必须贯通压电体膜,达到牺牲层。但是,在专利文献1所述的制造方法中,由于难以判别形成于压电体膜的贯通孔是否达到牺牲层,在假设贯通孔未达到牺牲层的情况下,可能不能通过蚀刻来去除牺牲层,不能形成空隙。
因此,本实用新型的目的在于,提供一种将用于形成空隙的贯通孔可靠地形成于压电体膜的压电设备以及压电设备的制造方法。
-解决课题的手段-
优选本实用新型所涉及的压电设备具备:压电膜,具有在厚度方向形成的贯通孔;功能导体,形成于所述压电膜;固定层,形成于所述压电膜的主面,以使得在俯视下与形成有所述功能导体的区域重合的位置形成空隙;和支承基板,形成于所述固定层的与所述压电膜相反的一侧的主面,所述贯通孔在俯视下,形成于横跨所述固定层与所述空隙的边界的位置,所述固定层在俯视下与所述贯通孔重合的位置具有阶梯。
在该构成中,形成于固定层的阶梯在压电设备的制造工序时形成。由于贯通孔在形成空隙时被利用,因此需要在形成空隙的区域可靠地形成。因此,通过确认阶梯的有无,能够判定空隙是否被可靠地形成。
本实用新型的特征在于,一种压电设备的制造方法,该压电设备具备:压电膜,形成有功能导体;固定层,形成于所述压电膜的主面,以使得俯视下,在重合于形成有所述功能导体的区域的位置形成空隙;和支承基板,形成于与所述固定层的所述压电膜相反的一侧的主面,所述压电设备的制造方法包含:在压电基板的主面形成牺牲层的工序;在所述压电基板的所述主面形成固定层,以使得覆盖所述牺牲层的工序;在与所述固定层的所述压电基板相反的一侧的面贴合支承基板的工序;从所述压电基板起形成所述压电膜的工序;在所述压电膜形成功能导体的工序;在所述压电膜形成贯通孔,以使得俯视下,横跨所述固定层与所述牺牲层的边界的工序;和利用所述贯通孔,通过蚀刻来去除所述牺牲层,从而形成所述空隙的工序。
在该制造方法中,将用于形成空隙的贯通孔形成于横跨固定层与牺牲层的边界的位置。由于固定层与牺牲层的材质的不同,导致蚀刻速率不同,在形成的贯通孔的底部形成阶梯。通过确认该阶梯的有无,能够判定贯通孔是否形成为达到牺牲层。通过贯通孔可靠地形成为达到牺牲层,从而能够利用蚀刻来去除牺牲层,能够可靠地形成空隙,因此能够高效地制造压电设备。
-实用新型效果-
根据本实用新型,能够将形成空隙时利用的贯通孔可靠地形成于压电薄膜,来形成空隙。
附图说明
图1是实施方式所涉及的压电谐振器的俯视图。
图2是图1的II-II线处的压电谐振器的剖视图。
图3是表示实施方式所涉及的压电谐振器的制造方法中的各工序中的形状的剖视图。
图4是表示实施方式所涉及的压电谐振器的制造方法中的各工序中的形状的剖视图。
具体实施方式
图1是本实施方式所涉及的压电谐振器的俯视图。图2是图1的II- II线处的压电谐振器的剖视图。压电谐振器是本实用新型所涉及的“压电设备”的一个例子。
压电谐振器10具备:压电薄膜20、固定层30和支承基板40。压电薄膜20是LN(LiNbO3)、LT(LiTaO3)等透过性的压电体。压电薄膜 20相当于本实用新型所涉及的“压电膜”。固定层30是SiO2等绝缘体。支承基板40是Si、蓝宝石、玻璃等。
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