[发明专利]一种LED芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种LED芯片，在衬底一侧依次外延设置第一半导体层、有源层、电子阻挡层、第二半导体层和欧姆接触层；其特征在于：第一金属电极和第二金属电极设置在远离衬底的同一侧；第一金属电极欧姆接触于第一半导体层上，第二金属电极高阻肖特基接触于第二半导体层上；在第二金属电极的外侧设置透明导电层，在远离衬底的芯片表面设置绝缘钝化层。

2.一种如权利要求1所述的LED芯片的制造方法，包括在衬底一侧依次外延生长第一半导体层、有源层、电子阻挡层、第二半导体层和欧姆接触层；其特征在于还包括以下步骤：

1）在欧姆接触层表面分别定义第一金属电极区域和第二金属电极区域；

2）对第一金属电极区域下方的欧姆接触层、第二半导体层、电子阻挡层、有源层和第一半导体层进行刻蚀，形成裸露出第一半导体层的第一沟槽；

对第二金属电极区域下方的欧姆接触层和第二半导体层进行刻蚀，形成裸露出第二半导体层的第二沟槽；

3）将第一金属电极沉积于第一沟槽内；

将第二金属电极沉积于第二沟槽内，并使第二金属电极与第二沟槽内裸露的欧姆接触层和第二半导体层分别形成高阻肖特基接触；

4）在第二金属电极外围的欧姆接触层表面沉积透明导电层，并将透明导电层与第二金属电极形成欧姆接触；

5）在芯片正面制作绝缘钝化层。

3.根据权利要求2所述LED芯片制造方法，其特征在于：所述第二沟槽的刻蚀深度最小为第二半导体层厚度的1/4，最大刻蚀至与电子阻挡层表面接触。

4.根据权利要求2所述LED芯片制造方法，其特征在于：所述第二沟槽的刻蚀宽度等于或大于所述第二金属电极的刻蚀宽度。

5.根据权利要求2所述LED芯片制造方法，其特征在于：所述第二金属电极为单质反射电极或合金反射电极。