[发明专利]包括光抽取结构的III-V发光器件有效
申请号: | 201610001527.5 | 申请日: | 2010-12-29 |
公开(公告)号: | CN105405944B | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | A.J.F.戴维;M.R.克拉梅斯;M.B.麦克劳林 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/16 | 分类号: | H01L33/16;H01L33/18;H01L33/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 初媛媛;景军平 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 抽取 结构 iii 发光 器件 | ||
1.一种半导体发光器件,包括:
衬底,包括:
主体,和
晶种层,其粘结到所述主体上,所述晶种层包括第一表面和第二表面,第一表面被图案化有孔的周期性晶格或栅格;
设置在晶种层的第一表面上的材料,所述材料具有不同于晶种层的折射率;以及
生长于所述晶种层的第二表面上的半导体结构,所述半导体结构包括置于半导体层上方n型区与p型区之间的发光层;
其中在垂直于所述半导体结构的生长方向的方向上的折射率变化设置在所述主体与所述发光层之间,所述折射率变化包括所述孔的周期性晶格或栅格,以及填充孔的周期性晶格或栅格的所述材料的部分。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中,所述折射率变化具有在100nm与10微米之间的高度。
3.一种制造半导体发光器件的方法,所述方法包括:
在生长衬底上生长III-氮化物晶种层;
将所述晶种层附连到临时衬底并使所述晶种层松弛;
图案化所述晶种层的第一表面;
在所述晶种层的第一表面之上设置折射率小于2的材料;
将所述晶种层附连到主体并除去所述临时衬底;以及
在所述晶种层的第二表面上生长半导体结构,所述半导体结构包括置于n型区与p型区之间的发光层,所述第二表面与所述第一表面相对。
4.根据权利要求3所述的制造半导体发光器件的方法,还包括:在生长所述半导体结构之后除去所述主体。
5.根据权利要求3所述的制造半导体发光器件的方法,还包括:在使所述晶种层松弛之前图案化所述晶种层的第一表面。
6.根据权利要求3所述的制造半导体发光器件的方法,还包括:在使所述晶种层松弛之后图案化所述晶种层的第一表面。
7.根据权利要求3所述的制造半导体发光器件的方法,其中,图案包括形成于所述晶种层中的孔的周期性晶格。
8.根据权利要求3所述的制造半导体发光器件的方法,其中,图案包括形成于晶种层中的栅格。
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