[发明专利]双低频谐振LTE天线的设计方法

权利要求书

1.双低频谐振LTE天线的设计方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）设计出第一辐射体：

在载体的天线设计区域设计第一辐射体，使第一辐射体至少具有一个低频带宽、一个 高频带宽，并在天线设计区域为第二辐射体预留空间；

2）在第一辐射体的基础上进行第二辐射体的设计：

在第一辐射体的馈电点附近选择一接地点，在该接地点引出第二辐射体，通过调整第 二辐射体的最大走线长度来控制低频耦合，且使第二辐射体在第一辐射体一侧的耦合区域 蛇形走线，该蛇形走线设置至少两个折弯，通过调整折弯来控制高频耦合；最终在低频带宽 耦合出一个低频谐振，在高频带宽耦合出两个高频谐振。

2.根据权利要求1所述的双低频谐振LTE天线的设计方法，其特征在于，所述蛇形走线 为以第二辐射体的上述接地点为起点的连续走线，且该连续走线在上述耦合区域内设置至 少两个180度拐弯的折弯。

3.根据权利要求2所述的双低频谐振LTE天线的设计方法，其特征在于，单个折弯与单 个高频谐振对应，通过调整单个折弯的走线长度来控制对应高频谐振的耦合。

4.根据权利要求3所述的双低频谐振LTE天线的设计方法，其特征在于，第二辐射体的 最大走线长度控制为低频谐振1/4波长的电长度；单个折弯的走线长度控制为高频谐振1/4 波长的电长度。

5.根据权利要求4所述的双低频谐振LTE天线的设计方法，其特征在于，蛇形走线区域 的最大尺寸为75mm×30mm。

6.根据权利要求5所述的双低频谐振LTE天线的设计方法，其特征在于，蛇形走线中连 接于同一折弯拐角处的两段走线，它们的最大间距控制在5～10mm。

7.根据权利要求6所述的双低频谐振LTE天线的设计方法，其特征在于，所述接地点与 馈电点的间距控制在2～5mm。

8.根据权利要求7所述的双低频谐振LTE天线的设计方法，其特征在于，第二辐射体走 线的最小线宽控制在0.2mm。

9.根据权利要求8所述的双低频谐振LTE天线的设计方法，其特征在于，第二辐射体至 少有一处与第一辐射体通过走线连接，相当于第二辐射体与第一辐射体间串电感和/或电 容连接。

10.根据权利要求9所述的双低频谐振LTE天线的设计方法，其特征在于，第一辐射体的 Pattern为Monopole、IFA、PIFA、FICA、FIDA或DGPattern。