[发明专利]一种用于OLED材料的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物在审
申请号: | 201610003712.8 | 申请日: | 2016-01-04 |
公开(公告)号: | CN106939024A | 公开(公告)日: | 2017-07-11 |
发明(设计)人: | 鄢亮亮;龚智豪;李潍萌 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | C07F15/00 | 分类号: | C07F15/00;H01L51/54;C09K11/06 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201506 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 oled 材料 杂氮芴 基础 单元 四齿配体 pt 络合物 | ||
1.一种用于OLED材料的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物,其特征在于,其结构为通式(I)所示:
其中,R1-R8分别独立地选自氢、烷基、杂烷基、芳基或杂芳基;
X1选自C、N、O,X2选自C、N。
2.根据权利要求1所述的四齿配体Pt络合物,其特征在于,X1选自O和/或X2选自N。
3.根据权利要求1所述的四齿配体Pt络合物,其特征在于,所述以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物是ONCN四齿配体Pt络合物,其结构为通式(II)所示:
其中,A1选自O、S、Se、C、Si、N;
R9为碳原子数小于60的取代基。
4.根据权利要求1所述的四齿配体Pt络合物,其特征在于,A1为C或N,A1 上连接的R9是碳原子数小于30的取代基,尤其是具有邻位取代的具有一定空间位阻的取代基。
5.根据权利要求1所述的四齿配体Pt络合物,其特征在于,R1和R2为相同取代基,分别独立地选自碳原子数小于30的具有一定空间位阻的烷基、杂烷基、环烷基,芳基或杂芳基。
6.根据权利要求1所述的四齿配体Pt络合物,其特征在于,R5和R6为少于四个碳原子的供电子的烷基链。
7.根据权利要求1所述的四齿配体Pt络合物,其特征在于,R4和R7为少于10个碳原子的具有邻位取代的具有一定空间位阻的取代基。
8.根据权利要求1所述的四齿配体Pt络合物,其特征在于,R3和R8为少于四个碳原子的供电子的烷基链或者为H。
9.根据权利要求1所述的四齿配体Pt络合物,其特征在于,所述以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物,其结构式选自如下结构:
10.一种含有如权利要求1-9中任意一项所述的以杂氮芴为基础单元的四齿配体Pt络合物的OLED材料或OLED器件。
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