[发明专利]显示基板及其制作方法、显示器件

权利要求书

1.一种显示基板的制作方法，包括形成黑矩阵的步骤，其特征在于，形成黑矩阵的步骤包括：

在所述黑矩阵靠近显示侧的表面形成凹凸不平的结构；

形成黑矩阵的步骤包括形成第一子层的步骤，所述第一子层的表面凹凸不平；

形成黑矩阵的步骤还包括：

在所述第一子层上形成第二子层，去除所述第一子层所在区域之外的第二子层，形成第二子层的图形，所述第二子层沿所述第一子层的表面延伸，且所述第二子层的表面形状与所述第一子层的表面形状相同，所述第二子层的材料为不透光的金属，形成所述第一子层的步骤包括：

依次形成第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第三金属层靠近显示侧，所述第二金属层的电阻率小于所述第一金属层和第三金属层的电阻率；

对所述第一金属层、第二金属层和第三金属层进行构图工艺，形成过渡层的图形，所述过渡层的图形与所述黑矩阵的图形一致；

采用湿法刻蚀去除第一金属层和部分第二金属层，通过控制湿法刻蚀工艺的刻蚀速率来在所述第二金属层的表面形成凹凸不平的结构，由所述第一金属层和剩余的第二金属层形成所述第一子层；

第一金属层和第三金属层的材料为Mo，第二金属层的材料为Al或Al的合金。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺中使用的刻蚀液为HNO₃和H₃PO₄的混合液，其中，HNO₃的浓度为2.2％～3.5％，H₃PO₄的浓度为60％～75％，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀时间为20s～50s。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一子层的步骤包括：

形成第一子层，所述第一子层包括与黑矩阵所在区域对应的第一区域和不与黑矩阵所在区域对应的第二区域；

在所述第一子层上形成光刻胶的图形，所述光刻胶位于所述第二区域；

以所述光刻胶为掩膜，采用干法刻蚀去除所述第一区域的部分第一子层，并控制干法刻蚀工艺的气体速率以在所述第一子层位于第一区域的部分的表面形成凹凸不平的结构。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成黑矩阵的步骤包括：

在一基底的表面形成不透光的金属薄膜；

在所述金属薄膜上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光，显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域，所述光刻胶保留区域对应黑矩阵所在的区域，所述光刻胶不保留区域对应其它区域；

通过刻蚀工艺去除光刻胶不保留区域的金属薄膜，并控制所述刻蚀工艺的刻蚀时间使得光刻胶保留区域的金属薄膜的横截面面积在远离显示侧的方向上呈逐渐增加的趋势，所述金属薄膜的横截面平行于所述基底的表面；

剥离剩余的光刻胶，由光刻胶保留区域的金属薄膜形成黑矩阵。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述显示基板为COA阵列基板，所述制作方法包括：

在一基底上形成横纵交叉分布的栅线和数据线，用于限定多个像素区域；

在每个像素区域形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅电极与对应的栅线电性连接，所述薄膜晶体管的源电极与对应的数据线电性连接；

在所述薄膜晶体管上形成覆盖整个基底的第一钝化层；

在每个像素区域形成彩色滤光层，所述彩色滤光层设置在第一钝化层上；

在彩色滤光层上形成平坦层；

在所述平坦层上依次形成第一透明导电薄膜和金属薄膜，在所述金属薄膜上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光，显影，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶不保留区域，所述光刻胶完全保留区域对应黑矩阵所在的区域，所述光刻胶部分保留区域对应公共电极所在的区域，所述光刻胶不保留区域对应其它区域，首先去除光刻胶不保留区域的第一透明导电薄膜和金属薄膜，然后通过灰化工艺去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，并去除该区域的金属薄膜，形成公共电极，最后剥离剩余的光刻胶，形成金属薄膜的图形；

在所述金属薄膜靠近显示侧的表面形成凹凸不平的结构，形成黑矩阵；

在所述公共电极和黑矩阵上形成第二钝化层；

在所述第二钝化层上形成像素电极。