[发明专利]有机电致发光显示基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201610004846.1 | 申请日: | 2016-01-04 |
公开(公告)号: | CN105448957B | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 胡春静;施槐庭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开口 像素界定层 有机电致发光显示 基板 显示装置 衬底 显示效果 长度差 宽度差 制作 咖啡 | ||
本发明提供一种有机电致发光显示基板,包括衬底、设置在所述衬底上的第一像素界定层,所述第一像素界定层具有多个第一开口,还包括设置在所述第一像素界定层上的第二像素界定层,所述第二像素界定层具有多个第二开口,多个所述第一开口与多个所述第二开口一一对应,所述第二开口的边缘超过所述第一开口的边缘,以将所述第一像素界定层的一部分露出,所述第一开口与所述第二开口的长度差大于所述第一开口与所述第二开口的宽度差。相应地,本发明还提供一种有机电致发光显示基板的制作方法和一种显示装置。本发明能够减少咖啡环的出现,改善显示效果。
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件领域,具体涉及一种有机电致发光显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机发光显示基板的制备过程中,如图1和图2所示,先在衬底基板上形成具有开口的像素界定层1,所述开口和衬底基板形成容纳槽,然后采用喷墨打印技术向容纳槽内喷墨打印墨水,墨水干燥后形成发光单元的膜层2,如空穴传输层、发光层等。
在墨水干燥成膜过程中,由于溶剂蒸汽主要由液滴边缘区域挥发,而墨水体积变化主要发生在墨水中部区域,因此墨水中部会向边缘流动,这种流动会带动溶质向边缘迁移,并最终在边缘沉积,而形成图2所示的膜层2,其边缘区域的厚度大于中部区域的厚度。当发光单元的各个膜层形成完毕后,发光效果如图3所示,发光单元的中部会形成显示亮区,边缘会形成暗区,称为“咖啡环效应”。尽管图1中厚度较大的边缘区域中,上下两侧的边缘部分的宽度d1与左右两侧的边缘部分的宽度d2一致,但是由于发光单元的上下两条边较短,左右两条边较长,因此,在图3中靠近上下两边的暗区表现得更明显。
发明内容
本发明的目的在于提供一种有机电致发光显示基板及其制作方法、显示装置,以改善发光器件的显示效果。
为了实现上述目的,本发明提供一种有机电致发光显示基板,包括衬底、设置在所述衬底上的第一像素界定层,所述第一像素界定层具有多个第一开口,所述有机电致发光显示基板还包括设置在所述第一像素界定层上的第二像素界定层,所述第二像素界定层具有多个第二开口,多个所述第一开口与多个所述第二开口一一对应,所述第二开口的边缘超过所述第一开口的边缘,以将所述第一像素界定层的一部分露出,所述第一开口与所述第二开口的长度差大于所述第一开口与所述第二开口的宽度差。
优选地,所述第一像素界定层被所述第二开口露出的部分包括:位于所述第一开口的沿其长度方向的两侧的两个第一露出部和位于所述第一开口的沿其宽度方向的两侧的两个第二露出部,其中一个所述第一露出部在第一开口长度方向上的尺寸大于任意一个所述第二露出部在第一开口宽度方向的尺寸,另一个所述第一露出部在第一开口长度方向上的尺寸不小于任意一个所述第二露出部在第一开口宽度方向的尺寸。
优选地,两个所述第二露出部的宽度均在4~5μm之间。
优选地,所述显示基板还包括设置在所述衬底上的多个薄膜晶体管、覆盖所述薄膜晶体管的钝化层和设置在所述钝化层上的电极层,所述薄膜晶体管、所述钝化层和所述电极层均位于所述第一像素界定层和所述衬底之间,所述电极层包括多个像素电极,每个所述第一开口均对应一个像素电极和一个薄膜晶体管,所述钝化层上设置有过孔,所述像素电极通过所述过孔与相应的薄膜晶体管的漏极相连,
其中一个所述第一露出部在所述钝化层上的正投影覆盖所述过孔。
优选地,制成所述第一像素界定层的材料包括亲水材料,制成所述第二像素界定层的材料包括疏水材料。
优选地,所述第二像素界定层的厚度大于所述第一像素界定层的厚度。
相应地,本发明还提供一种显示基板的制作方法,包括:
形成第一像素界定材料层;
对所述第一像素界定材料层进行构图工艺,以形成具有多个第一开口的第一像素界定层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的