[发明专利]OLED像素阵列、制备OLED像素阵列的方法、OLED显示面板和显示装置在审
申请号: | 201610005064.X | 申请日: | 2016-01-05 |
公开(公告)号: | CN105552104A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 李冬伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 像素 阵列 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种OLED像素阵列,包括多个像素单元,所述像素单元在所述 像素阵列的行方向呈并置型排列,所述每个像素单元由R子像素、G子像 素和B子像素各一个组成,在各像素单元中,B子像素是中间子像素,R 子像素和G子像素是端部子像素,且两个相邻像素单元的相邻端部子像素 是同种子像素。
2.根据权利要求1所述的像素阵列,其中相邻R端部子像素之间的 间距和/或相邻G端部子像素之间的间距小于使用精细金属掩模蒸镀法制 备的分辨率最高的标准RGB像素阵列中相邻R-G子像素之间的间距。
3.根据权利要求1所述的像素阵列,其中相邻R端部子像素之间的 间距和/或相邻G端部子像素之间的间距低至10μm。
4.根据权利要求1所述的像素阵列,其中B子像素和与其相邻的端 部子像素之间的间距大于使用精细金属掩模蒸镀法制备的分辨率最高的 标准RGB像素阵列中B子像素和与其相邻的端部子像素之间的间距。
5.根据权利要求1所述的像素阵列,其中B子像素和与其相邻的端 部子像素之间的间距确保通过掩模蒸镀法蒸镀的B子像素不发生混色。
6.根据权利要求1所述的像素阵列,其中在行与行之间,R、G、B 子像素是各自对齐的,或者B子像素是对齐的且R和G子像素是交替排 列的。
7.一种用于制备权利要求1所述像素阵列的方法,所述方法通过掩模 蒸镀法蒸镀R、G和B子像素,所述掩模蒸镀法使用R掩模板,G掩模板 和B掩模板分别蒸镀R、G和B子像素,其中,
通过所述R掩模板上的对应于相邻像素单元的两个相邻R端部子像素 位置的开口,蒸镀所述两个相邻R端部子像素;并且
通过所述G掩模板上的对应于相邻像素单元的两个相邻G端部子像 素位置的开口,蒸镀所述两个相邻G端部子像素。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述掩模板是精细金属掩模板。
9.根据权利要求8所述的方法,其中通过设置各精细金属掩模板的开 口和连接桥的宽度,确保蒸镀得到的像素阵列不发生子像素之间的混色。
10.一种OLED显示面板,所述OLED显示面板使用权利要求1所述 的像素阵列。
11.一种显示装置,所述显示装置包含权利要求10所述的OLED显 示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的