[发明专利]用于提供包括无Co自由层的磁结的方法和系统有效
| 申请号： | 201610005833.6 | 申请日： | 2016-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN105762274B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 唐学体;李将银;冯艮;达斯廷·威廉·埃里克森 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/02;H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 提供 包括 co 自由 方法 系统 | ||
1.一种位于基板上并能用在磁装置中的磁结，所述磁结包括：
自由层，包括从Fe金属和Fe1-xBx中选择的至少一种材料，自由层不包括Co；
非磁间隔层，与自由层邻接；以及
参考层，非磁间隔层位于参考层和自由层之间；
其中，磁结被构造成使得当写入电流经过磁结时自由层在多个稳定的磁状态之间是可切换的。
2.一种位于基板上并能用在磁装置中的磁结，所述磁结包括：
自由层，包括Fe层和Fe1-xBx层，自由层不包括Co；
非磁间隔层，与自由层邻接；以及
参考层，非磁间隔层位于参考层和自由层之间；
其中，磁结被构造成使得当写入电流经过磁结时自由层在多个稳定的磁状态之间是可切换的。
3.根据权利要求2所述的磁结，其中，自由层还包括：
附加的Fe层，Fe1-xBx层位于Fe层和附加的Fe层之间。
4.根据权利要求2所述的磁结，其中，自由层还包括Fe1-yBy层，Fe1-xBx层位于Fe层和Fe1-yBy层之间。
5.根据权利要求3所述的磁结，其中，x大于y。
6.根据权利要求4所述的磁结，其中，自由层还包括：
附加的Fe层，Fe1-xBx层和Fe1-yBy层位于Fe层和附加的Fe层之间。
7.一种位于基板上并能用在磁装置中的磁结，所述磁结包括：
自由层，由至少一个Fe层和至少一个Fe合金层组成，自由层不包括Co；
MgO种子层，与自由层邻接；
非磁间隔层，与自由层邻接；以及
参考层，非磁间隔层位于参考层和自由层之间；
其中，磁结被构造成使得当写入电流经过磁结时自由层在多个稳定的磁状态之间是可切换的。
8.一种位于基板上并能用在磁装置中的磁结，所述磁结包括：
自由层，由至少一个Fe层和至少一个Fe合金层组成，自由层不包括Co；
MgO覆盖层，与自由层邻接；
非磁间隔层，与自由层邻接；以及
参考层，非磁间隔层位于参考层和自由层之间；
其中，磁结被构造成使得当写入电流经过磁结时自由层在多个稳定的磁状态之间是可切换的。
9.一种位于基板上并能用在磁装置中的磁结，所述磁结包括：
自由层，由至少一个Fe层和至少一个Fe合金层组成，自由层不包括Co；
非磁间隔层，与自由层邻接；
附加的非磁间隔层，自由层位于非磁间隔层和附加的非磁间隔层之间；
参考层，非磁间隔层位于参考层和自由层之间；以及
附加的参考层，附加的非磁间隔层位于自由层和附加的参考层之间，
其中，磁结被构造成使得当写入电流经过磁结时自由层在多个稳定的磁状态之间是可切换的。
10.一种位于基板上的磁存储器，所述磁存储器包括：
多个磁存储单元，所述多个磁存储单元中的每个包括至少一个磁结，所述至少一个磁结包括自由层、非磁间隔层和参考层，非磁间隔层与自由层邻接并位于参考层和自由层之间，自由层包括Fe层和Fe1-xBx层，自由层不包括Co，所述至少一个磁结被构造成使得当写入电流经过磁结时自由层在多个稳定的磁状态之间是可切换的；以及
多条位线，与所述多个磁存储单元结合。
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