[发明专利]止逆阀及防止气体回冲的系统

说明书

本发明公开一种止逆阀，其包括阀体、多个旋启式栅门及多个挡块。阀体具有多个开口。旋启式栅门设置于阀体上。在旋启式栅门关闭时，旋启式栅门封住开口。挡块设置于阀体上。在旋启式栅门开启时，挡块挡住旋启式栅门，以限制旋启式栅门的开启角度。

技术领域

本发明涉及一种阀及半导体制作工艺系统，且特别是涉及一种止逆阀及防止气体回冲的系统。

背景技术

在半导体的制作工艺设备里，真空系统(vacuum system)的应用非常地广泛，从薄膜沉积(thin film deposition)、干蚀刻(dry etching)、离子注入(ion implantation)及光刻(lithography)等主要的制作工艺设备，到扫描式电子显微镜(scanning electronmicroscope)和二次离子质量分析仪(secondary ion mass spectroscope)等半导体表面分析仪器，都需要真空系统来维持上述机台于适合的压力下操作。

然而，当真空系统异常时，真空系统的管路中的气体会产生回冲，而将管路中的微粒及粉尘回灌至反应室中，而对反应室造成污染，进而使得产品损坏。

在目前业界使用的真空制作工艺反应室设计中，虽然会在各个反应室交界处装设由真空计控制的切断阀，然而一旦真空系统发生异常时，会因真空丧失而引发逆气流，且往往因为真空计反应稍缓或是切断阀关闭不及，而造成逆气流夹带大量粉尘回灌至反应室，导致产品出现无法修补的损坏而需报废。

此外，部分真空系统的设计考虑到空间限制，甚至会省略设置切断阀装置。当然，可要求原厂变更真空制作工艺反应室的设计，而使得有足够空间来装设切断阀装置，然而此种方式不仅缓不济急，且客制化的价格十分高昂。

发明内容

本发明提供一种止逆阀，其可有效且即时地阻断逆气流与其夹带的粉尘。

本发明提供一种防止气体回冲的系统，在真空系统异常时，可避免因逆气流回冲而夹带的粉尘回灌至反应室而造成的污染问题。

本发明提供一种止逆阀，其包括阀体、多个旋启式栅门及多个挡块。阀体具有多个开口。旋启式栅门设置于阀体上。在旋启式栅门关闭时，旋启式栅门封住开口。挡块设置于阀体上。在旋启式栅门开启时，挡块挡住旋启式栅门，以限制旋启式栅门的开启角度。

依照本发明的一实施例所述，在上述的止逆阀中，旋启式栅门包括轴及栅门。轴设置于阀体上。栅门连接于轴。

依照本发明的一实施例所述，在上述的止逆阀中，开启角度例如是30度至45度。

依照本发明的一实施例所述，在上述的止逆阀中，还包括多个密封件。密封件设置于阀体上并环绕开口，且位于阀体与旋启式栅门之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述的止逆阀中，密封件例如是O型环。

依照本发明的一实施例所述，在上述的止逆阀中，还包括多个顶针结构。各个顶针结构包括弹簧结构及顶针。弹簧结构设置于阀体上。顶针连接于弹簧结构。在旋启式栅门关闭时，顶针与旋启式栅门相接触。

依照本发明的一实施例所述，在上述的止逆阀中，弹簧结构包括壳体及弹簧。弹簧位于壳体中。

本发明提供一种防止气体回冲的系统，其包括反应室、真空系统、管路及上述止逆阀。管路设置将反应室与真空系统进行连通。止逆阀设置于管路系统中。

依照本发明的一实施例所述，在上述的防止气体回冲的系统中，止逆阀中的旋启式栅门可位于阀体邻近于真空系统的一侧。

依照本发明的一实施例所述，在上述的防止气体回冲的系统中，管路系统至少在设置有止逆阀的部分可垂直于地面。