[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个栅极结构，在所述栅极结构的侧壁上形成有侧墙结构；侧墙结构包括位于所述栅极结构两侧的偏移侧墙和位于所述偏移侧墙外侧的主侧墙；

在所述半导体衬底上沉积多晶硅层，覆盖所述栅极结构和所述侧墙结构，以实现栅极结构与栅极结构或栅极结构与源漏区的互连；

在所述多晶硅层上沉积牺牲层，以填充所述栅极结构之间的间隙，并在所述牺牲层上沉积硬掩膜层；

在所述硬掩膜层中形成开口，以露出所述牺牲层，并在所述开口的侧壁上形成牺牲侧墙；

以所述硬掩膜层和所述牺牲侧墙为掩膜，依次去除露出的所述牺牲层和所述多晶硅层，以完成内连多晶硅层的制作；

依次去除所述硬掩膜层、所述牺牲侧墙和剩余的所述牺牲层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述多晶硅层之前，还包括去除位于部分栅极结构侧壁上的侧墙结构的步骤，所述部分栅极结构通过去除所述侧墙结构露出的部分与所述多晶硅层实现互连。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，去除所述侧墙结构的步骤包括：在所述半导体衬底上形成图案化的光刻掩膜；以所述光刻掩膜为掩膜，通过等离子体干法蚀刻去除所述侧墙结构；通过灰化或者剥离工艺去除所述光刻掩膜。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述硬掩膜层之前，还包括执行化学机械研磨工艺研磨所述牺牲层，直至露出所述多晶硅层的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述牺牲侧墙的步骤包括：沉积侧墙材料层以覆盖所述硬掩膜层的表面和所述开口的侧壁及底部；蚀刻所述侧墙材料层以形成所述牺牲侧墙。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述侧墙材料层的厚度为300埃-500埃，所述牺牲侧墙的宽度为10nm-30nm，所述开口的宽度尺寸大于60nm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为200埃-400埃；所述牺牲层为无定形碳层，所述牺牲层的厚度为2000埃-5000埃；所述硬掩膜层的厚度为300埃-500埃。

8.一种采用权利要求1-7之一所述的方法制造的半导体器件。

9.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求8所述的半导体器件。