[发明专利]一种太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201610006144.7 | 申请日： | 2016-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN105514176B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李亮;张瑾;陈坤;笪林荣 | 申请（专利权）人： | 扬州海科电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京文苑专利代理有限公司 11516 | 代理人： | 王炜 |
| 地址： | 225000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 耿氏二极管 电子发射层 阳极 三维结构 阳极欧姆接触 阴极欧姆接触 渡越层 钝化层 衬底 阴极 耿式二极管 输出功率 依次设置 开孔 制作 外部 | ||
1.一种太赫兹GaN耿氏二极管，其特征在于，包括由下往上依次设置的阴极(4)、n型GaN衬底(7)、n+GaN阴极欧姆接触层(1)、InAlN三维结构电子发射层(8)、n-GaN渡越层(9)、n+GaN阳极欧姆接触层(2)、阳极(3)，还包括设置在n型GaN衬底(7)上并包裹在所述n+GaN阴极欧姆接触层(1)、InAlN三维结构电子发射层(8)、n-GaN渡越层(9)、n+GaN阳极欧姆接触层(2)、阳极(3)外部的SiN钝化层(5)，所述SiN钝化层(5)的上部设置有露出所述阳极(3)的开孔(6)。
2.根据权利要求1所述的太赫兹GaN耿氏二极管，其特征在于，所述n+GaN阴极欧姆接触层(1)的上端形成有圆形的凸台(10)，所述凸台(10)的高度为100～200nm，直径为30～40μm。
3.根据权利要求1所述的太赫兹GaN耿氏二极管，其特征在于，所述n+GaN阴极欧姆接触层(1)的厚度为1～2μm，掺杂浓度为1～5×1018cm-3。
4.根据权利要求1所述的太赫兹GaN耿氏二极管，其特征在于，所述InAlN三维结构电子发射层(8)采用In组份比为17％的InAlN材料制成，厚度为200～400nm。
5.根据权利要求1所述的太赫兹GaN耿氏二极管，其特征在于，所述n-GaN渡越层(9)的厚度为0.5～1μm，掺杂浓度为0.5～1.5×1017cm-3。
6.根据权利要求1所述的太赫兹GaN耿氏二极管，其特征在于，所述n+GaN阳极欧姆接触层(2)的厚度为200～500nm，掺杂浓度为1～5×1018cm-3。
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