[发明专利]共阳极肖特基半导体的封装工艺

说明书

本发明公开了一种共阳极肖特基半导体的封装工艺，包括以下步骤：(A)使用绝缘陶瓷烧结粘合工艺完成双载体部分与散热片部分的粘合；(B)使用高导热软焊料芯片焊接工艺完成上芯；(C)通过焊线键合共联技术，将芯片阳极与框架阳极通过导线相连并完成导线压焊；(D)塑封、去溢料、电镀、切筋分粒成型、测试及包装。使用普通肖特基芯片，采用双载体部分和散热片部分加陶瓷绝缘的方法，实现了散热片与阴极绝缘，双基岛式载体区实现阴极分离，阳极共用；利用现有设备，普通芯片实现了共阳极封装，满足了市场需求，降低了生产成本，使产品可靠性得到保障，解决了普通肖特基芯片难以实现共阳极封装的难题。

技术领域

本发明涉及半导体材料封装工艺技术领域。

背景技术

近年来，随着政府刺激内需政策效应的逐渐显现以及国际经济形势的好转，半导体封装下游行业进入新一轮景气周期，从而带来半导体市场需求的膨胀，半导体封装发展能力稳步提升。同时，在国家“十二五”规划和产业结构调整的大方针下，半导体面临巨大的市场投资机遇，前途一片光明。但目前的产品普遍都是共阴极，缺少共阳极封装，无法满足高可信赖性需求客户使用要求。

发明内容

本发明旨在提供一种共阳极半导体的封装工艺，采用普通的肖特基芯片实现共阳极封装，满足市场对共阳极封装产品的需求，提高产品的可靠性及封装稳定性。

为此，本发明所采用的技术方案为：一种共阳极肖特基半导体的封装工艺，共阳极肖特基半导体引线框架由双载体部分和散热片部分通过绝缘陶瓷烧结粘合在一起，所述双载体部分是由N个双载体单元依次排列组成的长条，散热片部分是由N个散热片单元依次排列组成的长条，每个双载体单元包括两个独立设置的基岛和三个I/O管脚，每个基岛上焊接有一个肖特基芯片，两个肖特基芯片的阳极通过焊线键合共联方式与双载体单元的框架阳极相连，所述框架阳极居中设置在两个肖特基芯片的正下方，使得位于左右两侧的I/O管脚为阴极，位于中间的I/O管脚为阳极，其特征在于，所述共阳极肖特基半导体的封装工艺包括以下步骤：

(A)使用绝缘陶瓷烧结粘合工艺完成双载体部分与散热片部分的粘合

将双载体部分与散热片部分在360～400℃的高温轨道中加热，并通有氮氢混合保护气体，再将双载体部分与散热片部分通过绝缘陶瓷烧结粘合在一起构成引线框架；

(B)使用高导热软焊料芯片焊接工艺完成上芯

将引线框架在330～380℃高温的轨道中加热，并通有氮氢混合保护气体，再通过高导热软焊料将两个肖特基芯片焊接在各自对应的基岛上；

(C)通过焊线键合共联技术，将芯片阳极与框架阳极通过导线相连并完成导线压焊

通过导线将两个肖特基芯片的阳极分别与框架阳极相连，并使用超声波压焊工艺完成导线压焊；

(D)塑封、去溢料、电镀、切筋分粒成型、测试及包装。

有益效果：相比特殊芯片实现共阳极封装，本发明使用普通肖特基芯片，采用双载体部分和散热片部分加陶瓷绝缘的方法，实现了散热片与阴极绝缘，双基岛式载体区实现阴极分离，阳极共用；利用现有设备，普通芯片实现了共阳极封装，满足了市场需求，降低了生产成本，使产品可靠性得到保障，解决了普通肖特基芯片难以实现共阳极封装的难题。

附图说明

图1为引线框架的双载体部分。

图2为引线框架的散热片部分。

图3为双载体单元。

图4为双载体部分、散热片部分通过陶瓷焊接的示意图。

图5为上芯、压焊、切筋分粒成型后的效果图。

图6为封装后的外形图。

具体实施方式