[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成垫块，所述垫块包括与所述衬底相对的第一面、与第一面相对的第二面以及位于第一面和第二面之间的侧面，所述第二面与侧面相接处为棱边；

采用含氢反应物形成覆盖所述衬底和所述棱边的介质层，所述介质层中含有硅氢键，所述介质层包括：覆盖衬底和所述棱边的第一介质层，所述第一介质层中硅氢键所占的摩尔百分比小于2.8％。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质层为包括第一介质层的单层结构，或者，所述介质层为包括第一介质层的多层结构。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成介质层的步骤中，所述介质层为三层结构，包括：两层所述第一介质层，以及位于两层第一介质层之间的第二介质层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成介质层的步骤中，所述介质层为双层结构，所述介质层还包括第二介质层，所述第二介质层位于所述第一介质层上，或者，所述第二介质层位于衬底和第一介质层之间。

5.如权利要求3或4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层中硅氢键所占的摩尔百分比在2.8％～4％的范围内。

6.如权利要求1至4任意一项权利要求所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层中硅氢键所占的摩尔百分比在0～1.9％的范围内。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料为氮化硅。

8.如权利要求1至4任意一项权利要求所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料为氮化硅；

形成介质层的步骤中，通过等离子增强化学气相沉积工艺形成所述第一介质层；

形成所述第一介质层的工艺参数包括：射频功率为1000W～1500W，气体压强为3.7torr～4.7torr；

反应气体为硅烷、氨气和氮气，氨气与硅烷的流量比为0.25～0.35，氮气与硅烷的流量比为18～28。

9.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，衬底与第二介质层之间的第一介质层厚度为90埃～200埃，位于第二介质层上的第一介质层厚度为100埃～400埃。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层中杂质键所占的摩尔百分比小于6.5％。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质层的厚度在4000埃～8000埃的范围内。

12.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于衬底上的垫块，所述垫块包括与所述衬底相对的第一面、与第一面相对的第二面以及位于第一面和第二面之间的侧面，所述第二面与侧面相接处为棱边；

覆盖所述衬底和所述棱边的介质层，所述介质层中含有硅氢键，所述介质层包括：覆盖衬底和所述棱边的第一介质层，第一介质层中硅氢键所占的摩尔百分比小于2.8％。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层为包括第一介质层的单层结构，或者，所述介质层为包括第一介质层的多层结构。

14.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层为三层结构，包括：两层第一介质层，以及位于两层第一介质层之间的第二介质层。