[发明专利]显示基板及其制作方法和显示装置在审

专利信息
申请号: 201610006929.4 申请日: 2016-01-05
公开(公告)号: CN105575893A 公开(公告)日: 2016-05-11
发明(设计)人: 朱夏明 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/12;H01L29/43
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 李相雨
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 显示 及其 制作方法 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种显示基板制作方 法、一种显示基板和一种显示装置。

背景技术

现有技术中,为了提高显示基板上薄膜晶体管器件的电学性能, 会制作双栅结构薄膜晶体管,也即形成上下两个栅极结构。但是双 栅结构薄膜晶体管的两个栅极及源极和漏极通常需要用不同的掩膜 来形成,以这种方法制作的双栅结构薄膜晶体管具有较大的寄生电 容,随着显示尺寸和分辨率的不断提升,阵列基板上所有薄膜晶体 管寄生电容之和将变得非常大,这会直接降低显示装置的性能。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是,如何减小双栅结构薄膜晶体管器 件的寄生电容。

为此目的,本发明提出了一种显示基板制作方法,包括:

在透明基底之上的第一区域形成第一栅极;

在所述第一栅极之上形成透明栅绝缘层;

在所述栅绝缘层之上形成透明有源层;

在所述有源层之上的第二区域形成透明源极和漏极,所述第一区 域和第二区域不重叠;

在所述源极和漏极之上形成钝化层;

在所述钝化层之上的第一区域形成第二栅极。

优选地,形成第一栅极包括:

在透明基底之上形成第一栅极金属层;

在所述第一栅极金属层之上形成正性光刻胶;

对第一区域以外的正性光刻胶进行曝光和显影;

蚀刻掉第一区域以外的第一栅极金属层;

剥离第一区域的正性光刻胶。

优选地,形成源极和漏极包括:

在所述有源层之上形成正性光刻胶;

以所述第一栅极为掩膜,从所述透明基底之下对第二区域的正性 光刻胶进行曝光和显影;

在所述显影后的光刻胶图形层之上形成透明导体层;

剥离第一区域的正性光刻胶和透明导体层,第二区域剩余的透明 导体层作为所述透明源极和漏极。

优选地,形成第二栅极包括:

在所述钝化层之上形成负性光刻胶;

以所述第一栅极为掩膜,从所述透明基底之下对第一区域以外的 负性光刻胶进行曝光,显影去除第一区域的负性光刻胶;

在所述显影后的负性光刻胶图形层之上形成第二栅极金属层;

剥离第一区域以外的负性光刻胶和第二栅极金属层,第一区域剩 余的第二栅极金属层作为所述第二栅极。

优选地,形成有源层包括:

在透明栅绝缘层之上形成第一透明绝缘层;

在第一透明绝缘层之上形成多个透明子有源层;

在相邻透明子有源层之间形成透明层间绝缘层;

在最上方的透明子有源层之上形成第二透明绝缘层。

优选地,形成每个子有源层包括:

形成透明半导体层。

优选地,形成每个子有源层包括:

形成第一透明半导体层;

在第一透明半导体层之上形成第二透明半导体层。

优选地,形成每个子有源层包括:

形成第一透明半导体层;

在第一透明半导体层之上形成第三透明绝缘层;

在第三透明绝缘层之上形成第二透明半导体层。

优选地,形成有源层包括:

在相同的真空环境下形成第一透明绝缘层、第二透明绝缘层、所 有透明子有源层和透明层间绝缘层。

本发明还提出了一种显示基板,包括:

透明基底;

第一栅极,设置在所述透明基底之上的第一区域;

栅绝缘层,设置在所述第一栅极之上;

透明有源层,设置在所述栅绝缘层之上;

透明源极和漏极,设置在所述有源层之上的第二区域,所述第一 区域和第二区域不重叠;

钝化层,设置在所述源极和漏极之上;

第二栅极,设置在所述钝化层之上的第一区域。

优选地,所述有源层包括:多个子有源层以及设置在相邻子有源 层之间的层间绝缘层,所述子有源层包括:

第一透明绝缘层,设置在透明栅绝缘层之上;

多个子有源层,设置在所述第一透明绝缘层之上;

透明层间绝缘层,设置在相邻透明子有源层之间;

第二透明绝缘层,设置在最上方的透明子有源层之上。

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