[发明专利]显示基板及其制作方法和显示装置在审
申请号: | 201610006929.4 | 申请日: | 2016-01-05 |
公开(公告)号: | CN105575893A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 朱夏明 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L29/43 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种显示基板制作方 法、一种显示基板和一种显示装置。
背景技术
现有技术中,为了提高显示基板上薄膜晶体管器件的电学性能, 会制作双栅结构薄膜晶体管,也即形成上下两个栅极结构。但是双 栅结构薄膜晶体管的两个栅极及源极和漏极通常需要用不同的掩膜 来形成,以这种方法制作的双栅结构薄膜晶体管具有较大的寄生电 容,随着显示尺寸和分辨率的不断提升,阵列基板上所有薄膜晶体 管寄生电容之和将变得非常大,这会直接降低显示装置的性能。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,如何减小双栅结构薄膜晶体管器 件的寄生电容。
为此目的,本发明提出了一种显示基板制作方法,包括:
在透明基底之上的第一区域形成第一栅极;
在所述第一栅极之上形成透明栅绝缘层;
在所述栅绝缘层之上形成透明有源层;
在所述有源层之上的第二区域形成透明源极和漏极,所述第一区 域和第二区域不重叠;
在所述源极和漏极之上形成钝化层;
在所述钝化层之上的第一区域形成第二栅极。
优选地,形成第一栅极包括:
在透明基底之上形成第一栅极金属层;
在所述第一栅极金属层之上形成正性光刻胶;
对第一区域以外的正性光刻胶进行曝光和显影;
蚀刻掉第一区域以外的第一栅极金属层;
剥离第一区域的正性光刻胶。
优选地,形成源极和漏极包括:
在所述有源层之上形成正性光刻胶;
以所述第一栅极为掩膜,从所述透明基底之下对第二区域的正性 光刻胶进行曝光和显影;
在所述显影后的光刻胶图形层之上形成透明导体层;
剥离第一区域的正性光刻胶和透明导体层,第二区域剩余的透明 导体层作为所述透明源极和漏极。
优选地,形成第二栅极包括:
在所述钝化层之上形成负性光刻胶;
以所述第一栅极为掩膜,从所述透明基底之下对第一区域以外的 负性光刻胶进行曝光,显影去除第一区域的负性光刻胶;
在所述显影后的负性光刻胶图形层之上形成第二栅极金属层;
剥离第一区域以外的负性光刻胶和第二栅极金属层,第一区域剩 余的第二栅极金属层作为所述第二栅极。
优选地,形成有源层包括:
在透明栅绝缘层之上形成第一透明绝缘层;
在第一透明绝缘层之上形成多个透明子有源层;
在相邻透明子有源层之间形成透明层间绝缘层;
在最上方的透明子有源层之上形成第二透明绝缘层。
优选地,形成每个子有源层包括:
形成透明半导体层。
优选地,形成每个子有源层包括:
形成第一透明半导体层;
在第一透明半导体层之上形成第二透明半导体层。
优选地,形成每个子有源层包括:
形成第一透明半导体层;
在第一透明半导体层之上形成第三透明绝缘层;
在第三透明绝缘层之上形成第二透明半导体层。
优选地,形成有源层包括:
在相同的真空环境下形成第一透明绝缘层、第二透明绝缘层、所 有透明子有源层和透明层间绝缘层。
本发明还提出了一种显示基板,包括:
透明基底;
第一栅极,设置在所述透明基底之上的第一区域;
栅绝缘层,设置在所述第一栅极之上;
透明有源层,设置在所述栅绝缘层之上;
透明源极和漏极,设置在所述有源层之上的第二区域,所述第一 区域和第二区域不重叠;
钝化层,设置在所述源极和漏极之上;
第二栅极,设置在所述钝化层之上的第一区域。
优选地,所述有源层包括:多个子有源层以及设置在相邻子有源 层之间的层间绝缘层,所述子有源层包括:
第一透明绝缘层,设置在透明栅绝缘层之上;
多个子有源层,设置在所述第一透明绝缘层之上;
透明层间绝缘层,设置在相邻透明子有源层之间;
第二透明绝缘层,设置在最上方的透明子有源层之上。
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