[发明专利]半导体集成电路有效

专利信息
申请号: 201610007141.5 申请日: 2012-08-31
公开(公告)号: CN105680808B 公开(公告)日: 2019-01-29
发明(设计)人: 归山隼一 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H03F3/08 分类号: H03F3/08;H03F3/189;H03F3/24;H03F3/45;H03K17/082;H03K17/567;H03K17/689;H03K17/691;H03K17/78;H04B5/00;H04L25/02;H01L23/522;H01L25/16
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李兰;孙志湧
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 集成电路
【说明书】:

提供半导体集成电路,包括:第一发送电路,产生和输出反映第一数据信号的第一发送信号;第一接收电路,再产生第一数据信号;第一隔离元件,隔离第一发送电路与第一接收电路并发送第一发送信号;第二发送电路,产生和输出反映第二数据信号的第二发送信号;第二接收电路,再产生第二数据信号;第二隔离元件,隔离第二发送电路与第二接收电路并发送第二发送信号;第三发送电路,产生和输出反映第二数据信号的第三发送信号;第三接收电路,再产生第二数据信号;第三隔离元件,隔离第三发送电路与第三接收电路并发送第三发送信号;控制部,在确定再产生的第一数据信号和再产生的第二数据信号是相同的逻辑电平信号时与第一数据信号无关地输出停止信号。

本申请是2012年8月31日提交的申请号为201210320608.3、发明名称为“半导体集成电路和包括半导体集成电路的驱动设备”之申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

通过引用整体在此并入2011年8月31日提交的日本专利申请No.2011-188245的公开内容,该公开内容包括说明书、附图和摘要。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路和包括该半导体集成电路的驱动设备。更具体地,本发明涉及经由隔离元件来发送信号的半导体集成电路,并且涉及包括该半导体集成电路的驱动设备。

背景技术

诸如光耦合器、电感器耦合的隔离器、电容器耦合的隔离器和GMR(巨磁阻)元件隔离器的隔离元件当前被用作用于在多个半导体芯片之间发送信号的装置,每一个半导体芯片在不同的电源电压上工作。

例如,光耦合器使用一个芯片来将电信号转换为光信号,然后使用另一个芯片将那个光信号转换为电信号,因此在两个半导体芯片之间提供隔离。电感器耦合的隔离器使用一个线圈来将电信号转换为磁,然后使用另一个线圈将该磁转换为电信号,因此保证在两个半导体芯片之间的隔离。电容器耦合的隔离器使用电容元件的一个电极来将电信号转换为电场,然后使用该元件的另一个电极将电场转换为电信号,由此在两个半导体芯片之间提供隔离。GMR元件隔离器使用线圈来将电信号转换为磁,然后使用GMR元件将该磁转换为电信号,由此在两个半导体芯片之间提供隔离。

上述的隔离元件用在诸如反相器设备和转换器设备的今天的功率控制电路中。具体地说,在一个电源系统上工作的近些年来的这种类型的功率控制电路经由隔离元件向另一个电源系统的芯片发送从微型计算机输出的控制信号,由此转换控制信号的电压电平正被讨论。功率控制电路进行来使用栅极驱动器放大其电压电平被转换的控制信号,然后将放大的控制信号供应到功率晶体管(输出晶体管)的控制终端,该控制终端控制流过负载的电流。

在下面的文献中公开了某种现有技术:日本未审查专利公布No.2009-49035(以下被称为专利文献1)、日本未审查专利公布No.Hei 9(1997)-312555(专利文献2)、日本未审查专利公布No.2002-84173(专利文献3)、日本未审查专利公布No.2004-222367(专利文献4)和日本未审查专利公布No.Hei 5(1993)-29914(专利文献5)。

在专利文件1中公开的一种用于升压/降压转换器的智能功率模块包括CPU、隔离变压器、配备了保护器的栅极驱动器IC和IGBI(绝缘栅双极晶体管)。CPU产生用于指定IGBT的导通或不导通的门驱动PWM信号,并且经由隔离变压器向配备了保护器的栅极驱动器绝缘地发送该信号。基于门驱动PWM信号,配备了保护器的栅极驱动器IC产生门信号,并且将其供应到IGBT的控制终端以用于切换操作。其上形成IGBT的芯片具有温度传感器和电流传感器。

在基于来自温度传感器的过热检测信号和/或来自电流传感器的过电流检测信号来确定流过IGBT的电流已经超过可能触发IGBT破坏的阈值时,配备了保护器的栅极驱动器IC向CPU发送警告信号。在从配备了保护器的栅极驱动器IC接收到该警告信号时,CPU停止产生门驱动PWM信号,并且由此切断流过IGBT的电流。

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