[发明专利]一种CMOS图像传感器的制造方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上包括第一区域，所述第一区域为待形成感光元件的区域；

提供第一掩模版；

以第一掩模版为掩模在所述基底上形成第一图形化掩膜层，暴露出所述第一区域，所述第一区域具有与CMOS图像传感器的转移晶体管相邻的第一端；

以第一图形化掩膜层为掩模，通过离子注入方式在第一区域形成第一注入区，所述第一注入区为第一导电类型；

通过离子注入方式在第一注入区内形成第二注入区，所述第二注入区为第二导电类型，所述第二导电类型与第一导电类型相反，剩余的第一注入区被第二注入区分隔为位于第二注入区之上的第三注入区和位于第二注入区之下的第四注入区；

提供第二掩模版；

以第二掩模版为掩模在所述基底上形成第二图形化掩膜层，暴露出所述第一区域的第一端；

以第二图形化掩膜层为掩模，通过离子注入方式在所述第一区域的第一端形成第五注入区，所述第五注入区为第一导电类型，所述第五注入区将第三注入区和第四注入区电学连接；在形成所述第五注入区之前或者之后，利用第二掩模版在靠近基底表面处以离子注入的方式形成第六注入区。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述第一注入区的离子注入包括第一离子注入、第二离子注入和第三离子注入。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一离子注入、第二离子注入和第三离子注入的离子导电类型均为第一导电类型。

4.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一离子注入、第二离子注入和第三离子注入的注入能量逐渐递增。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第一离子注入的离子为磷离子，注入能量为100KeV,注入的离子剂量是1.8E12atom/cm²；所述第二离子注入的离子为磷离子，注入能量为250KeV，注入的离子剂量是1.8E12atom/cm²；所述第三离子注入的离子为磷离子，注入能量为450KeV,注入的离子剂量是1.8E12atom/cm²。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述第二注入区注入的离子为硼离子，注入能量为160KeV，注入的离子剂量是3.5E12atom/cm²。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二掩模版的覆盖区域范围是自所述第一区域的第一端向第一区域的方向偏移0.18微米至0.22微米，至所述第一区域的第一端向转移晶体管的方向偏移0.08微米至0.12微米。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，形成所述第五注入区注入的离子为磷离子，注入能量为250KeV，注入的离子剂量是3E12atom/cm²。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括在形成第五注入区之后，在靠近基底表面处以离子注入的方式形成钉扎层。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，形成所述钉扎层的方法包括：注入的离子为BF₂离子，注入能量为30KeV，注入的离子剂量是5E12atom/cm²。

11.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述第六注入区的方法包括：注入的离子为BF₂离子，注入能量为20KeV，注入的离子剂量是4E12atom/cm²。