[发明专利]一种SOI六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法

权利要求书

1.一种SOI六晶体管静态随机存储器单元，所述SOI六晶体管静态随机存储器单元包括：

第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；

第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；

获取管，由第三NMOS晶体管及第四NMOS晶体管组成；

其中，所述第三NMOS管的源极连接至所述第一反相器的输出端及所述第二反相器的输入端，栅极连接至存储器的字线，漏极连接至存储器的位线；

所述第四NMOS晶体管的源极连接至所述第二反相器的输出端及所述第一反相器的输入端，栅极连接至存储器的字线，漏极连接至存储器的反位线；

其特征在于：

所述第一、第二PMOS晶体管及第一、第二NMOS晶体管的源极均采用加固源区；对于NMOS晶体管，所述加固源区包括第一重掺杂N型区、第一重掺杂P型区以及浅N型区，且所述第一重掺杂P型区包围所述第一重掺杂N型区的纵向两端及底部；对于PMOS晶体管，所述加固源区包括第二重掺杂P型区、第二重掺杂N型区以及浅P型区，且所述第二重掺杂N型区包围所述第二重掺杂P型区的纵向两端及底部。

2.根据权利要求1所述的SOI六晶体管静态随机存储器单元，其特征在于：所述加固源区上部形成有金属硅化物；对于NMOS晶体管，所述第一重掺杂N型区及第一重掺杂P型区均与所述金属硅化物相接触，且所述浅N型区的横向两端分别与所述金属硅化物及所述NMOS晶体管的体区相接触；对于PMOS晶体管，所述第二重掺杂P型区及第二重掺杂N型区均与所述金属硅化物相接触，且所述浅P型区的横向两端分别与所述金属硅化物及所述PMOS晶体管的体区相接触。

3.根据权利要求2所述的SOI六晶体管静态随机存储器单元，其特征在于：所述金属硅化物选自硅化钴及硅化钛中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的SOI六晶体管静态随机存储器单元，其特征在于：所述第一、第二PMOS晶体管及第一、第二NMOS晶体管的漏极上部均形成有金属硅化物。

5.根据权利要求1所述的SOI六晶体管静态随机存储器单元，其特征在于：所述SOI六晶体管静态随机存储器单元采用自下而上依次包括背衬底、绝缘埋层及顶层硅的SOI衬底，各晶体管所在有源区之间通过上下贯穿所述顶层硅的浅沟槽隔离结构隔离。

6.根据权利要求1所述的SOI六晶体管静态随机存储器单元，其特征在于：所述第三NMOS晶体管及第四NMOS晶体管的源极至少有一个采用所述加固源区。

7.根据权利要求1所述的SOI六晶体管静态随机存储器单元，其特征在于：所述第三NMOS晶体管及第四NMOS晶体管中至少有一个采用普通栅NMOS管、T型栅NMOS管或H型栅NMOS管。

8.一种SOI六晶体管静态随机存储器单元的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：提供一自下而上依次包括背衬底、绝缘埋层及顶层硅的SOI衬底，在所述顶层硅中制作浅沟槽隔离结构，定义出有源区；

S2：依据所述有源区的位置在所述顶层硅中制作N阱、第一P阱及第二P阱，其中，所述N阱位于所述第一P阱及第二P阱之间；

S3：在所述N阱中制作第一PMOS晶体管及第二PMOS晶体管；在所述第一P阱中制作第一NMOS晶体管及第三NMOS晶体管；在所述第二P阱中制作第二NMOS晶体管及第四NMOS晶体管；其中，所述第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管的源极均采用加固源区；对于NMOS晶体管，所述加固源区包括第一重掺杂N型区、第一重掺杂P型区以及浅N型区，且所述第一重掺杂P型区包围所述第一重掺杂N型区的纵向两端及底部；对于PMOS晶体管，所述加固源区包括第二重掺杂P型区、第二重掺杂N型区以及浅P型区，且所述第二重掺杂N型区包围所述第二重掺杂P型区的纵向两端及底部；

S4：制作金属过孔及相应金属连线，以完成所述存储器单元的制作。