[发明专利]一种抗弯曲瓣状大模场单模光纤

权利要求书

1.抗弯曲瓣状大模场单模光纤，其特征为：该光纤中心为掺稀土离子芯区(1)，由内到外分布围绕掺稀土离子芯区(1)均匀分布的N个相同半径、弧度和厚度的瓣状纤芯(21)……(2N)，内包层(3)，外包层(4)，3≤N≤8整数；

掺稀土离子芯区(1)的折射率横剖面呈抛物线形，最大相对折射率差Δ＝(n1-n2)，为0.3％～1.1％；稀土离子芯区(1)的中心、瓣状纤芯(21)……(2N)的折射率相等，为n1；内包层(3)的折射率小于瓣状纤芯(21)……(2N)的折射率，为n2；外包层(4)的折射率小于内包层(3)的折射率。

2.根据权利要求1所述的抗弯曲瓣状大模场单模光纤，其特征为：掺稀土离子芯区(1)、瓣状纤芯(21)……(2N)的掺稀土离子类型包括钕离子、铒离子、镱离子、钍离子、镨离子、钬离子、钐离子、钕镱共掺离子或铒镱共掺离子；掺稀土离子芯区(1)、瓣状纤芯(21)……(2N)的掺稀土离子类型相同。

3.根据权利要求1所述的抗弯曲瓣状大模场单模光纤，其特征为：掺稀土离子芯区(1)的纤芯半径R1为23～27μm；瓣状纤芯(21)……(2N)的厚度d为70～80μm。

4.根据权利要求1所述的抗弯曲瓣状大模场单模光纤，其特征为：瓣状纤芯(21)(22)……(2N)围绕掺稀土离子芯区(1)均匀分布，各块瓣状纤芯弧度等于15°～25°。