[发明专利]显示器件

权利要求书

1.一种显示器件，包括：

像素部分，包括多个像素，每个像素包括第一晶体管、第二晶体管以及发光元件；

驱动电路部分，用于驱动所述像素部分；以及

显示控制电路，用于控制对所述驱动电路部分供应图像信号，

其中，所述第一晶体管的栅极与扫描线电连接，

其中，所述第一晶体管的源极和漏极之一与信号线电连接，

其中，所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第二晶体管的栅极电连接，

其中，所述第二晶体管的源极和漏极之一与电源线电连接，所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述发光元件电连接，

其中，所述第一晶体管包括第一氧化物半导体层，该第一氧化物半导体层包括沟道形成区，

其中，所述第一氧化物半导体层包括铟、镓和锌，

其中，所述第一氧化物半导体层是结晶的，并且

其中，所述沟道形成区中每1μm的沟道宽度的截止电流为1×10^-17A/μm或更小。

2.根据权利要求1所述的显示器件，其中所述第一氧化物半导体层包括微晶部分。

3.根据权利要求1所述的显示器件，其中所述多个像素每个还包括发光层。

4.根据权利要求1所述的显示器件，其中所述第一氧化物半导体层的载流子浓度小于1×10¹⁴/cm³。

5.根据权利要求1所述的显示器件，其中所述第一氧化物半导体层的氢浓度为1×10¹⁹/cm³或更小。

6.根据权利要求1所述的显示器件，包括信号发生电路，该信号发生电路用于产生用于驱动所述驱动电路部分的控制信号和所述图像信号。

7.根据权利要求1所述的显示器件，包括存储电路，该存储电路包括帧存储器以便存储所述图像信号。

8.根据权利要求1所述的显示器件，其中所述第一氧化物半导体层的带隙为2eV或更大。

9.根据权利要求1所述的显示器件，其中所述第二晶体管包括第二氧化物半导体层。

10.根据权利要求1所述的显示器件，其中所述第二晶体管包括多晶硅层。

11.一种显示器件，包括：

像素部分，包括多个像素，每个像素包括第一晶体管、第二晶体管以及发光元件；

驱动电路部分，用于驱动所述像素部分；以及

显示控制电路，电连接到所述驱动电路部分，

其中，所述第一晶体管的栅极与扫描线电连接，

其中，所述第一晶体管的源极和漏极之一与信号线电连接，

其中，所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第二晶体管的栅极电连接，

其中，所述第二晶体管的源极和漏极之一与电源线电连接，所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述发光元件电连接，

其中，所述第一晶体管包括第一氧化物半导体层，该第一氧化物半导体层包括沟道形成区，

其中，所述第一氧化物半导体层包括铟、镓和锌，

其中，所述第一氧化物半导体层是结晶的，并且

其中，所述沟道形成区中每1μm的沟道宽度的截止电流为1×10^-17A/μm或更小。

12.根据权利要求11所述的显示器件，其中所述显示控制电路被配置成控制向所述驱动电路部分供应高电源电位。

13.根据权利要求11所述的显示器件，其中所述显示控制电路被配置成控制向所述驱动电路部分供应低电源电位。