[发明专利]块体及SOI半导体装置的共集成

权利要求书

1.一种形成半导体装置结构的方法，该方法包括：

提供具有绝缘体上半导体(semiconductor-on-insulator；SOI)配置的衬底，该SOI衬底包括形成于氧化物埋层(buried oxide layer；BOX层)上的半导体层，该BOX层设于半导体块体衬底上；

形成沟槽隔离结构，以在该SOI衬底内划定第一区及第二区；

移除该第一区中的该半导体层及该BOX层，以暴露该第一区内的该半导体块体衬底；

在该第一区中的该暴露半导体块体衬底中及上方形成具有电极的第一半导体装置；

在该第二区中形成第二半导体装置，该第二半导体装置包括设于该第二区中的该半导体层及该BOX层上方的栅极结构；以及

执行抛光制程，以定义该电极与该栅极结构二者延伸至的共同高度水平。

2.如权利要求1所述的方法，其中，依据后栅极技术形成该栅极结构，包括在该第二区上方形成伪栅极结构以及以该栅极结构替代该伪栅极结构。

3.如权利要求2所述的方法，其中，该第一半导体装置包括依据后栅极技术形成的第二栅极结构。

4.如权利要求3所述的方法，其中，该第一及第二半导体装置是NMOS装置。

5.如权利要求1所述的方法，其中，该第一半导体装置是晶体管装置、电阻器装置以及电容器装置的其中一种。

6.如权利要求2所述的方法，其中，该伪栅极结构包括钨。

7.一种形成具有块体半导体装置及SOI半导体装置的半导体装置结构的方法，该方法包括：

提供具有绝缘体上半导体(semiconductor-on-insulator；SOI)配置的衬底，其中，该SOI衬底包括形成于氧化物埋层(buried oxide layer；BOX层)上的半导体层，该BOX层设于半导体块体衬底上；

形成沟槽隔离结构，以在该SOI衬底内划定第一区及第二区；

暴露该第一区内的该半导体块体衬底；

在该第一区中的该暴露半导体块体衬底中及上方形成该块体半导体装置，该块体半导体装置包括位于该第一区中的该暴露半导体块体衬底上方的第一栅极结构；

在该第二区中形成该SOI半导体装置，该SOI半导体装置包括设于该第二区中的该半导体层及该BOX层上方的第二栅极结构；以及

执行抛光制程，以定义该第一及第二栅极结构延伸至的共同高度水平。

8.如权利要求7所述的方法，其中，在执行该抛光制程之前，通过在各该第一及第二区上方形成第一及第二伪栅极结构并以该第一及第二栅极结构替代该伪栅极结构而依据后栅极技术形成该第一及第二栅极结构。

9.如权利要求8所述的方法，其中，通过在该第一及第二区上方沉积伪栅极材料堆叠并在图案化该伪栅极材料堆叠之前抛光该沉积的伪栅极材料堆叠至大于该共同高度水平的高度水平来形成该第一及第二伪栅极结构。

10.如权利要求9所述的方法，其中，该伪栅极材料堆叠包括钨。

11.如权利要求9所述的方法，还包括在该沉积的伪栅极堆叠材料上方形成掩膜图案以及施加蚀刻制程于该块体半导体装置及该SOI半导体装置，以依据该掩膜图案形成该第一及第二伪栅极结构。

12.如权利要求11所述的方法，其中，该蚀刻制程包括第一蚀刻步骤且该伪栅极材料堆叠包括在该第一蚀刻步骤期间充当蚀刻停止的最下方氧化物衬里，其中，在该第一及第二区上方均匀地蚀刻该沉积的伪栅极材料堆叠，直到该氧化物衬里暴露于该第二区中。