[发明专利]一种浪涌防护器件在审
| 申请号： | 201610009821.0 | 申请日： | 2016-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN105552873A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 骆生辉 | 申请（专利权）人： | 深圳市槟城电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H01L29/861 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518116 广东省深圳市龙岗区龙岗街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 浪涌 防护 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种浪涌防护器件，其特征在于，包括：
N型衬底，所述N型衬底整个背面设有背面P阱层，所述N型衬底的正面 设有正面P阱层，所述正面P阱层的一侧设有N+注入区。
2.根据权利要求1所述的浪涌防护器件，其特征在于：
所述正面P阱层为分别位于两侧的正面深P阱层和正面浅P阱层，所述正 面浅P阱层设置在设有N+注入区的那一侧。
3.根据权利要求2所述的浪涌防护器件，其特征在于：
所述正面浅P阱层下方设有正面深N阱。
4.根据权利要求1所述的浪涌防护器件，其特征在于：
所述背面P阱层为分别位于两侧的背面深P阱层和背面浅P阱层，所述背 面深P阱层设置在设有N+注入区的那一侧。
5.根据权利要求4所述的浪涌防护器件，其特征在于：
在所述背面浅P阱层上设有背面深N阱。
6.根据权利要求4所述的浪涌防护器件，其特征在于：
所述背面深P阱层设有多个分开的深P阱。
7.根据权利要求1所述的浪涌防护器件，其特征在于：
所述N+注入区设有多个。
8.根据权利要求7所述的浪涌防护器件，其特征在于：
所述多个N+注入区之间设有短路孔，所述短路孔阻抗大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市槟城电子有限公司，未经深圳市槟城电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610009821.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：直流微电网结构
- 下一篇：可快速装卸式三相交流避雷器与互感器组合装置
