[发明专利]场效应晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201610010064.9 | 申请日： | 2009-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN105575803B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 赤松泰彦;武井应树;清田淳也;石桥晓;汤川富之;小林大士;仓田敬臣;新井真 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/203;H01L21/324;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 | 代理人： | 韩登营;高伟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种场效应晶体管的制造方法，其特征在于，
在将基材加热到了100℃以上200℃以下的温度状态下，采用氧气气压条件为0.02Pa以上0.28Pa以下的溅射法在所述基材上形成活性层，其中，该活性层具有In-Ga-Zn-O系成分，
以300℃以上不到400℃的加热温度条件对所形成的所述活性层进行退火处理。
2.如权利要求1所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，
通过所述退火处理，使场效应晶体管的导通电流与关断电流的比值达到1.E+08的水平。
3.如权利要求1所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，
在通过成膜处理形成所述活性层前，使用加热管或加热灯加热所述基材使其达到上述温度状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
