[发明专利]一种二硫化钼叠层太阳能电池及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属于新能源领域，具体涉及一种二硫化钼叠层太阳能电池及其制备方法。

背景技术

随着社会的发展，环境污染和能源危机问题逐渐成为全人类共同面临的重大挑战，开发新能源已成为世界各国学者研究的一个重要方向，而太阳能来源广泛、对环境污染小，具有巨大的发展潜力。以晶体硅为原料的传统太阳能电池一直占据着太阳能电池市场的主要地位，但其生产成本高，对环境污染大，且技术已很成熟，很难有大的突破。在这种情况下，研发低成本且高效的薄膜太阳能电池迫在眉睫，因此以铜铟镓锡、碲化镉等为材料制备的薄膜太阳能电池逐渐发展起来，并且技术也已比较成熟，但此类太阳能电池伴随着重金属及稀有元素的大量使用，不利于环境保护并且生产成本高，制约了其大规模的开发利用。因此研发性价比高且对环境污染小的太阳能电池，成为科研工作者的追求目标。

二硫化钼作为直接带隙半导体材料，具有良好的光学和电学特性，研究表明，单层二硫化钼中的价带电子能够在不借助额外声子的情况下，通过吸收能量大于带隙宽度的光子直接从价带跃迁到导带，这种垂直跃迁方式有效地提高了光子的利用率。并且，二硫化钼的能带结构可以通过控制其厚度来实现连续性调节，不同厚度的二硫化钼具有不同的带隙宽度，因而能够吸收不同波段的太阳光。利用二硫化钼的这种特性，我们可以设计不同厚度的二硫化钼薄膜构成叠层太阳能电池，实现对太阳光谱的充分吸收，从而提高太阳能电池的光电转换效率。

发明内容

为了能够实现对太阳光谱全波段的充分吸收利用，以提高太阳能电池的光电转换效率，本发明提供一种二硫化钼叠层太阳能电池及其制备方法，其结构从上到下依次为：金属电极、二硫化钼叠层、透明导电衬底。所述金属电极是金属银电极或铝电极；所述二硫化钼叠层是由多个厚度不同的二硫化钼子电池组成；所述二硫化钼子电池是由P型二硫化钼薄膜和N型二硫化钼薄膜组成，且P型二硫化钼薄膜和N型二硫化钼薄膜的厚度是相同的；所述透明导电衬底是FTO透明导电玻璃或ITO透明导电玻璃或AZO透明导电玻璃或石墨烯；所述太阳能电池的制备过程包括以下步骤：首先，利用磁控溅射法或化学气相沉积法在透明导电衬底上依次沉积厚度逐渐减少的二硫化钼子电池以构成二硫化钼叠层，再利用丝网印刷法在二硫化钼叠层上丝网印刷金属电极以制得所述的二硫化钼叠层太阳能电池。本发明的优点在于，一是利用不同厚度的二硫化钼禁带宽度不同，对太阳光谱的响应范围不同，通过将不同厚度的二硫化钼薄膜堆叠构成多结叠层太阳能电池，从而实现对太阳光全波段的充分吸收，以达到提高太阳能电池光电转换效率的目的；二是利用二硫化钼同种材料构成同质PN结，减少PN结材料的晶格失配，减少缺陷态密度，从而减少载流子的复合，提高光电流，进而提高太阳能电池的光电转换效率；三是制备工艺简单，大大降低生产成本。

附图说明

附图1为本发明太阳能电池结构示意图。

附图2为实施例的结构示意图。

附图1标号说明如下：

1—金属电极；

2—二硫化钼叠层；

3—透明导电衬底。

以下结合实施例对本发明作进一步说明，但本发明不局限于实施例中涉及的内容。

实施例一

如附图2所示，本实施例中的叠层太阳能电池结构从上到下依次包括：金属电极1、二硫化钼叠层2、透明导电衬底3。所述的二硫化钼叠层按图2所示其包括：第一个二硫化钼子电池4、第二个二硫化钼子电池5。其中第一个二硫化钼子电池4包括从上到下依次分布的厚度均为双层的P型二硫化钼薄膜和N型二硫化钼薄膜，带隙宽度约为1.65eV；第二个二硫化钼子电池5包括从上到下依次分布的厚度均为单层的P型二硫化钼薄膜和N型二硫化钼薄膜，带隙宽度约为1.8eV。

本实施例中所述二硫化钼叠层太阳能电池具体制备方法如下：在FTO透明导电玻璃衬底3上，利用化学气相沉积法依次沉积厚度均为双层的N型二硫化钼薄膜和P型二硫化钼薄膜，得到第一个二硫化钼子电池4，在第一个二硫化钼子电池4上再次利用化学气相沉积法依次沉积厚度均为单层的N型二硫化钼薄膜和P型二硫化钼薄膜，得到第二个二硫化钼子电池5，最后在第二个二硫化钼子电池5上丝网印刷金属银电极1，制得所述的二硫化钼叠层太阳能电池。

实施例二